美国豁免后三星升级西安半导体工厂设备工艺

业内消息，近日三星电子和 SK 海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免，其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。知情人士透露三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺，并开始大规模扩张。

消息人士称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工厂陆续引进可生产第 8 代 NAND 的设备，这也被业界视为克服全球 NAND 需求疲软导致产能下降的战略步骤。

三星(中国)半导体有限公司的工厂与 2012 年落户西安高新区，2020 年增设了第二期工厂项目，目前已发展成为全球最大的 NAND 制造基地，每月可生产 20 万片 12 英寸晶圆，这占据了三星 NAND 总产量的 40% 以上。

据悉，三星西安工厂第一工厂投资 108.7 亿美元(当前约合 795.2 亿人民币)，2017 年开始建造的第二工厂，先后投资了 150 亿美元(当前约合 1097.4 亿人民币)。三星位于西安的工厂是唯一的海外存储器半导体生产基地。

业内分析人士认为，三星决定升级其西安工厂的原因有两个。其一主要在全球 NAND 市场环境没有表现出明显的复苏迹象，而在这种情况下三星需要保持其在 NAND 市场的全球领导地位，另一个原因即为美国近日对其通过的无限期豁免政策。

中美之间的贸易和科技限制引起韩国企业的担忧。韩国经济高度依赖半导体领域，全球第一和第二大存储芯片制造商三星和 SK 海力士都在中国的芯片设施投入数十亿巨资，中国也是韩国芯片的大客户。

据悉，三星电子大约 40% 的 NAND 闪存芯片在其位于中国西安的工厂生产，SK 海力士大约 40% 的 DRAM 芯片在无锡生产，20% 的 NAND 闪存芯片在大连生产。业内分析机构 TrendForce 的统计数据显示，截至今年 6 月底上述两家半导体生产商合计控制着全球近 70% 的 DRAM 市场和 50% 的 NAND 闪存市场。

疫情后的市场低迷再加上产能严重过剩严重影响了三星的 NAND 业务，导致库存水位一直增加也进一步加剧亏损。上半年三星也因此不得不宣布减产，但通过升级最新的第 8 代 NAND 产品不仅可以使三星产品拥有价格优势，而且最新工艺比起第 6 代晶圆投入减少约 30%，更能平衡市场供应和需求。