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[导读]2024年3月26日,中国-- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布了一项基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺,支持下一代嵌入式处理器升级进化。这项新工艺技术是意法半导体和三星晶圆代工厂共同开发,使嵌入式处理应用的性能和功耗实现巨大飞跃,同时可以集成容量更大的存储器和更多的模拟和数字外设。基于新技术的下一代 STM32 微控制器的首款产品将于 2024下半年开始向部分客户提供样片,2025 年下半年排产。

· 首款采用新技术的 STM32 微控制器将于 2024 下半年开始向部分客户出样片

· 18nm FD-SOI制造工艺与嵌入式相变存储器(ePCM)组合,实现性能和功耗双飞跃

2024年3月26日,中国-- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)发布了一项基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺,支持下一代嵌入式处理器升级进化。这项新工艺技术是意法半导体和三星晶圆代工厂共同开发,使嵌入式处理应用的性能和功耗实现巨大飞跃,同时可以集成容量更大的存储器和更多的模拟和数字外设。基于新技术的下一代 STM32 微控制器的首款产品将于 2024下半年开始向部分客户提供样片,2025 年下半年排产。

意法半导体微控制器、数字IC和射频产品部总裁Remi El-Ouazzane表示:“作为处于半导体行业前沿的创新企业,意法半导体率先为客户带来汽车级和航天级FD-SOI和PCM技术。我们的下一步行动是,从下一代 STM32 微控制器开始,让工业应用开发者也能享受到这两项先进技术带来的诸多好处。”

技术优势

与目前在用的 ST 40nm 嵌入式非易失性存储器 (eNVM) 技术相比,集成 ePCM 的18nm FD-SOI制造工艺极大地提高了关键的品质因数:

· 性能功耗比提高 50% 以上

· 非易失性存储器 (NVM)密度是现有技术的2.5 倍,可以在片上集成容量更大的存储器

· 数字电路密度是现有技术的三倍,可以集成人工智能、图形加速器等数字外设,以及最先进的安全保护功能

· 噪声系数改善 3dB,增强了无线 MCU 的射频性能

该技术的工作电源电压是3V,可以给电源管理、复位系统、时钟源和数字/模拟转换器等模拟功能供电,是20 纳米以下唯一支持此功能的半导体工艺技术。

该技术的耐高温工作、辐射硬化和数据保存期限已经过汽车市场的检验,能够满足工业应用对可靠性的严格要求。

FD-SOI和PCM技术详情访问意法半导体官网。

能为STM32 微控制器开发者和客户带来哪些益处?

这种具有成本竞争力的技术将给开发人员带来新型的高性能、低功耗、无线 MCU。大存储容量支持市场对边缘人工智能处理、多射频协议栈、无线更新和高级安全功能的日益增长的需求。高处理性能和大存储容量将激励目前正在使用微处理器开发产品的开发者转向集成度更高且成本效益更高的微控制器。这项新技术将进一步提高超低功耗设备的能效,意法半导体的产品组合目前在这个市场处于优势地位。

基于该技术的首款微控制器将集成ARM最先进的 ARM® Cortex®-M内核,为机器学习和数字信号处理应用带来更强的运算性能。该产品将具有快速、灵活的外部存储器接口、先进的图形功能,并将集成众多模拟和数字外设,还将有意法半导体最新MCU上已经引入的先进的经过认证的安全功能。

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