MOS管驱动电路设计集锦！总有一款可供你参考！

今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOS管驱动电路设计的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOS管驱动电路设计具备清晰的认识，主要内容如下。

一、mos管

MOS管，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET），是一种常用的电子元件。它主要由三个电极组成：栅极（G）、源极（S）和漏极（D）。MOS管的工作原理是通过栅极电压来控制源极和漏极之间的电流流动，这种控制方式属于电压控制型器件。根据导电沟道的类型，MOS管可分为N沟道和P沟道两种类型，进一步细分为增强型和耗尽型。

MOS管的主要作用包括但不限于：

1、作为电子开关，通过控制栅极电压来实现源极和漏极之间的导通与截止。

2、在放大电路中，利用其输入阻抗高的特点，实现电流放大。

3、在电源管理、电机驱动等应用中，通过其快速开关特性来控制负载。

4、测试MOS管的好坏通常涉及测量其栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，以及在特定条件下检查源极与漏极之间的导通与截止状态。

MOS管与三级管（即晶体管）的主要区别在于它们的工作原理和结构上。晶体管是一种电流控制型器件，通过基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。而MOS管则是电压控制型器件，通过栅极电压来控制源极和漏极之间的电流，具有更高的输入阻抗和更快的开关速度。此外，MOS管在制造工艺上更为简单，有利于高度集成化。

二、MOS管驱动电路设计集锦

MOS管因为其导通内阻低，开关速度快，因此被广泛应用在开关电源上。而用好一个MOS管，其驱动电路的设计就很关键。下面分享几种常用的驱动电路。

1、电源IC直接驱动

电源IC直接驱动是最简单的驱动方式，应该注意几个参数以及这些参数的影响。

①查看电源IC手册的最大驱动峰值电流，因为不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。

②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么管子导通的速度就比较慢，就达不到想要的效果。

2、推挽驱动

当电源IC驱动能力不足时，可用推挽驱动。

这种驱动电路好处是提升电流提供能力，迅速完成对于栅极输入电容电荷的充电过程。这种拓扑增加了导通所需要的时间，但是减少了关断时间，开关管能快速开通且避免上升沿的高频振荡。

3、加速关断驱动

MOS管一般都是慢开快关。在关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。

为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管，如上图所示，其中D1常用的是快恢复二极管。这使关断时间减小，同时减小关断时的损耗。Rg2是防止关断的时电流过大，把电源IC给烧掉。

如上图，是我之前用的一个电路，量产至少上万台，推荐使用。

用三极管来泄放栅源极间电容电压是比较常见的。如果Q1的发射极没有电阻，当PNP三极管导通时，栅源极间电容短接，达到最短时间内把电荷放完，最大限度减小关断时的交叉损耗。

还有一个好处，就是栅源极间电容上的电荷泄放时电流不经过电源IC，提高了可靠性。

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