基于NMOS管、PMOS管，如何制作一款开关控制电路？

以下内容中，小编将基于NMOS管和PMOS管制作一款开关控制电路，希望本文能帮您增进对NMOS管和PMOS管以及开关控制电路的了解，和小编一起来看看吧。

一、NMOS管和PMOS管

NMOS管是N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。

PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；别名 ： positive MOS。

PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

二、基于NMOS管和PMOS管制作开关控制电路

01 MOS管导通截止原理

NMOS管的主回路电流方向为D—>S，导通条件为VGS有一定的压差，如 5V（G电位比S电位高）。

PMOS管的主回路电流方向为S—>D，导通条件为VGS有一定的压差，如 -5V（S电位比G电位高）。

02 MOS管做上管和下管

1）NMOS当下管，即S极（源极）直接接地，只需控制G极（栅极）电压即可控制NMOS管的导通或截止，因为MOS管导通的条件取决于VGS的压差。

2）NMOS当上管，D极（漏极）接正电源，而S极的电压不固定，无法确定控制NMOS导通的G极电压，因为S极对地的电压有两种状态，NMOS关截止时为低电平，导通时接近高电平VCC。

3）PMOS当上管或下管原理一样。

4）通常使用PMOS做上管，NMOS做下管。

03 NMOS管应用

使用NMOS当下管，S极直接接地，只需将G极电压固定值为5V即可导通（该5V视MOS管型号而定）

04 PMOS管应用

使用PMOS当上管，S极直接接电源VCC（5V），只需将G极电压固定值为0V即可导通。

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