如何设计一款PMOS反接防护电路？看看就知道了！

在这篇文章中，小编将为大家带来PMOS基反接防护电路设计的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。

一、PMOS管原理

PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

二、PMOS基反接防护电路设计详解

传统的防反保护电路，一般采用的都是PMOS管。

将PMOS的G极接电阻到地（GND），当输入端连接正向电压时，电流流过PMOS的体二极管到负载端。

如果正向电压超过 PMOS的门限阈值，主通道则导通。即PMOS的Vds压降变低，电流都从主沟道导通，实现了低损耗和低温升。

传统PMOS防反保护

我们来看这个电路，MOS的两端电压，也就是体二极管压降电压，它大于mos管的VGS电压，mos管导通，这时体二极管被短路，体二极管的压降电压不存在了。

R1是LED的分压限流电阻，导通后LED被点亮，电源正常接入。

当电源反接时，PMOS的GS两端电压为正值，MOS管无法导通。

其中Rg是降低NMOS导通时的脉冲电流和分压。

当GS两端电压过高，稳压二极管D就会进入反向击穿工作模式，在一定反向电流范围内，反向电压不会随反向电流变化。当输入电压过高时，稳压二极管D可以避免GS两端电压超过额定值损坏MOS管的现象。

这里要注意mos管的体二极管朝向，当体二极管朝向Vin，一旦反接，电流会从GND——体二极管——Vin，这会直接短路，便无法起到防反接的作用。

不过，用PMOS来作防反接电路有三个缺点。

一个是系统待机电流大：

VGS驱动和保护电路会存在暗电流损耗，两者是由齐纳二极管和的限流电阻R组成的，而限流电阻会影响整个待机功耗。如果这时提高R的取值，稳压管就没办法可靠导通，VGS也会存在过压的风险，并且会影响PMOS的开关速度。

另一个是存在反灌电流：

在输入电源跌落测试时，PMOS在输入电压跌落时依旧保持导通，此时电容电压会让电源极性反转，导致系统电源故障并中断。

最后就是成本问题：

我们都知道PMOS的成本较高，因此PMOS作防反保护一般适合用于电流超过3A以上的大电流的场景。

最后，小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读，对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。最后的最后，祝大家有个精彩的一天。