深入分析MOS等效输入阻抗

在这篇文章中，小编将为大家带来MOS等效输入阻抗的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。

一、输入阻抗

输入阻抗是指一个电路输入端的等效阻抗。在输入端上加上一个电压源U，测量输入端的电流I，则输入阻抗R就是U/I。可以把输入端想象成一个电阻的两端，这个电阻的阻值，就是输入阻抗。输入阻抗跟一个普通的电抗元件没什么两样，它反映了对电流阻碍作用的大小。对于电压驱动的电路，输入阻抗越大，则对电压源的负载就越轻，因而就越容易驱动，也不会对信号源有影响；而对于电流驱动型的电路，输入阻抗越小，则对电流源的负载就越轻。因此，可以这样认为：如果是用电压源来驱动的，则输入阻抗越大越好；如果是用电流源来驱动的，则阻抗越小越好（注：只适合于低频电路，在高频电路中，还要考虑阻抗匹配问题。）另外如果要获取最大输出功率时，也要考虑　阻抗匹配问题。

二、MOS等效输入阻抗分析

在模拟集成电路设计中，正确地分析等效输入阻抗可以大大降低电路的复杂程度。

其中正确分析MOS等效输入阻抗是最常用、最重要的一部分，熟练掌握结论后可以直接应用于复杂电路的分析。

1.MOS线性区等效电阻

当VDS>0时，MOS的沟道将产生从D指向S的横向电位梯度以及电流，并且随着VDS增大而增大。

ID与VDS呈线性变化，MOS相当于一个线性电阻。MOS在不同的VGS，其等效电阻也不同。

NMOS线性区

线性区MOS等效电阻由下式给出：

2.MOS源极视入阻抗

源极视入阻抗顾名思义即从MOS源极看进去的等效电阻。考虑带负载电阻的情况，分析MOS源极视入阻抗的等效模型由下图所示：

MOS源极视入阻抗等效模型

根据基尔霍夫电压定律：

化简后得到MOS源极视入阻抗：

当没有负载电阻时，MOS源极视入阻抗变为：

3.MOS漏极视入阻抗

利用与MOS源极视入阻抗相似的分析方式，先假设M1的等效电阻为ro1，画出下图的等效模型：

MOS漏极视入阻抗等效模型

根据基尔霍夫电压定律：

化简后得到MOS漏极视入阻抗：

当没有M1时，MOS漏极视入阻抗就是ro2。也就是说，一个MOS从漏极看进去的等效电阻就是与沟道长度调制效应有关的输出电阻。这正好验证了M1等效电阻为ro1的假设是成立的。

熟练掌握以上结论之后可以试着找一些较复杂的电路，先试着能否直接看出某一结点的视入阻抗，再用等效电路的方法验证直接看出来的视入阻抗是否正确。

以上便是小编此次想要和大家共同分享的有关MOS等效输入阻抗的内容，如果你对本文内容感到满意，不妨持续关注我们网站哟。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day！