PMOS电路图整体功耗偏大，到底是为什么？

[导读]在下述的内容中，小编将会对PMOS的相关消息予以报道，如果PMOS是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。

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一、为什么这款PMOS电路图整体功耗偏大

今天看到道友发来一张NPN三极管控制PMOS的电路图，提问是为什么整体功耗偏大?那么您有没有发现为什么整体功耗偏大呢?电路图如下。

先阐述一下电路工作原理：EN控制三极管导通或者关断，当EN输出高电平时，三极管导通，PMOS管的栅极拉低到地，从而PMOS的Vgs达到开启条件，PMOS导通，VBUS向VCC供电;当EN输出低电平时，三极管截止，PMOS关断，从而VCC断电。

确实，上图的电路也能“正常工作”，那么功耗为什么这么大?您是不是已经发现了呢?

答案是：三极管的基极电阻R3选的10Ω，实在是太小了!!!!

假设EN输出高电平为3.3V，按Vbe=0.7V算(实际上Vbe比这个要大);那么Ib=(3.3V- 0.7V)/10Ω ≈0.26A!!(单片机的IO输出能力一般在20mA内，这个R3实在是太小了，单片机竟然没坏??!)那么这个R3上的功率PR3≈0.26*0.26*10=0.676W

0603电阻封装功率一般按0.1W算，其实这个R3电阻已经超额了!!

所以这就是电路功耗大的原因!!三极管的Ib占了主要的功耗来源。甚至可能会损毁单片机!

那么这个电路怎么改善呢?群友给了两个改善方法：

群友A：10Ω太小了(上面已分析)，增大R3阻值为100k。然后提问的群友又回复了，R3换为100K后三极管不能导通了

(究其原因是因为R3和R4一分压，3.3V的控制信号被分压到了0.3V，所以三极管不能导通了)，所以解决方案应该是增加R3阻值，增加到10K~100K，同时增大R4阻值(例如让R4比R3大十倍，让R3和R4分压后可以使三极管饱和导通);这样三极管就能正常导通了，而且功耗也不会很大啦。

群友B：直接把Q2从三极管更换为NMOS管，因为三极管是流控器件，MOS管是压控器件，换成MOS管可以平替三极管，解决三极管Ib的电流。

那么大概修改后的电路就大致更改为

那么您更倾向于哪种改法呢?哈哈，要是我的话，那肯定是哪个便宜用那个啦，我选第一种改法，毕竟NMOS要比三极管要贵一些，要勤俭持家帮老板省钱是不是，哈哈。

二、怎么解决PMOS不能关断问题

分享一个我解决PMOS不能关断问题，我之前遇到了一个PMOS不能关断的问题，这个PMOS是用于电源开关的，电路大概是这样子的，很常见的电路，当然PMOS不是这个AO3401,是一个大电流的PMOS，原理是一样的，只不过小的PMOS和大的PMOS有点不同而已，PMOS不能完全关断的问题不是我的G极设计参数的问题也不是体二极管导通的问题，这个我把控的很好不会有问题。G极设计问题这种幼稚的问题，我才不会发出来呢，PMOS不能完全关断的问题发生的条件就是PMOS的G极关断，但是S极完全悬空的情况下，这时候S极就会有虚电，大概的电压的话是D极的一半多一点，多发生在大电流PMOS管下，小电流的PMOS管暂时没看见，解决的办法的话就是在D极加一个放电电阻，大概10K左右就能解决，为什么会发生D极虚电的情况呢？

我查了一些资料，总结了一下，大概就是，PMOS关断时，不是完全关断，还是会有一些电荷漏过去，由于PMOS管的关断时的内阻很高，所以只要有一点点电荷就能撑起很高的电压，会给人造成这样一种假象我的PMOS没关断，这种问题，很容易发生在没有经验的人身上，故在此记录。