MOSTET开关时间受什么影响？MOSFET损耗分析！

在下述的内容中，小编将会对MOSTET的相关消息予以报道，如果MOSTET是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。

一、MOSTET开关时间受什么影响

MOSFET的开关时间受到许多因素的影响，其中最主要的因素是 MOSFET 的内部电容。MOSFET有三个内部电容：栅源电容（Cgs），栅极电容（Cgd）和漏极电容（Cds）。这些电容对MOSFET的开关时间和性能有着重要的影响。在MOSFET导通时，Cgs和Cgd电容会储存电荷，使得MOSFET的导通速度降低，因此会增加导通时间。同样，在关闭时Cgd和Cds电容会释放电荷，导致截止时间延迟。因此，减小MOSFET的内部电容可以显著地改进开关时间。除了内部电容之外，MOSFET 的工作温度也会对开关时间产生影响。当 MOSFET 的工作温度增加时，其导热性下降，内部电容则增加，从而增加了其开关时间。因此，在设计MOSFET的电路时，需要考虑工作温度对开关时间的影响，并且选择适当的散热解决方案以减少热效应。在电路中使用MOSFET作为开关，它的控制端可以通过修改开关时间来改变电压。以一系列开关时间为0-6微秒（us）的MOSFET为例，每次打开MOSFET需要花费3微秒，即导通时间为3微秒。当MOSFET被打开时，它可以导通，使得电路通过。当利用电路时MOSFET被关闭，截止时间为0.5微秒，则电路将停止通过。如果我们想要改变电路的输出电压，可以通过改变MOSFET的开关时间来实现。在导通时间和截止时间都保持不变的情况下，增加开关时间将导致电路输出电压的上升。反之，减少开关时间将导致电路输出电压的下降。

二、开关管MOSFET的损耗分析

MOSFET的损耗主要有以下部分组成：

1.通态损耗;2.导通损耗;3.关断损耗;4.驱动损耗;5.吸收损耗;

随着模块电源的体积减小，需 要将开关频率进一步提高，进而导致开通损耗和关断损耗的增加，例如300kHz的驱动频率下，开通损耗和关断损耗的比例已经是总损耗主要部分了。

MOSFET导通与关断过程中都会产生损耗，在这两个转换过程中，漏极电压与漏极电流、栅源电压与电荷之间的关系如图1和图2所示，现以导通转换过程为例进行分析：

t0-t1区间：栅极电压从0上升到门限电压Uth，开关管为导通，无漏极电流通过这一区间不产生损耗;

t1-t2区间：栅极电压达到Vth，漏极电流ID开始增加，到t2时刻达到最大值，但是漏源电压保持截止时高电平不变，从图1可以看出，此部分有VDS与ID有重叠，MOSFET功耗增大;

t2-t3区间：从t2时刻开始，漏源电压VDS开始下降，引起密勒电容效应，使得栅极电压不能上升而出现平台，t2-t3时刻电荷量等于Qgd，t3时刻开始漏极电压下降到最小值;此部分有VDS与ID有重叠，MOSFET功耗增大

t3-t4区间：栅极电压从平台上升至最后的驱动电压(模块电源一般设定为12V)，上升的栅压使导通电阻进一步减少，MOSFET进入完全导通状态;此时损耗转化为导通损耗。

关断过程与导通过程相似，只不过是波形相反而已;关于MOSFET的导通损耗与关断损耗的分析过程，有很多文献可以参考，这里直接引用《张兴柱之MOSFET分析》的总结公式如下：

备注：为上升时间， 为开关频率， 为下降时间，为栅极电荷，为栅极驱动电压 为MOSFET体二极管损耗。

最后，小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读，对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。希望大家对MOSTET已经具备了初步的认识，最后的最后，祝大家有个精彩的一天。