MOSFET漏极导通特性了解吗？看看大佬怎么讲明白的

今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET漏极导通特性的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOSFET具备清晰的认识，主要内容如下。

MOSFET的漏极导通特性如下图所示，根据功率MOSFET输出特征，工作区也可以分为三个区：关断区、线性区和可变电阻区。

图 MOSFET典型的漏极导通特性

当驱动开通脉冲加到MOSFET的G和S极时，Vgs的电压逐渐升高时，MOSFET的开通轨迹A-B-C-D见下图的路线所示。

图：功率MOSFET的开通轨迹

(1) 截止区

开通前MOSFET起始工作点位于上图的右下角A点以下，Vgs的电压逐渐升高，Id电流为0，Vgs的电压从0上升到Vth，Id电流从0开始逐渐增大。

(2) 恒流区

动态恒流区就是图中的A-B，也就是Vgs电压从Vth增加到米勒平台电压Vgs(pl)的区间，从这个过程可以非常直观的发现：MOSFET工作在恒流区，因为Vgs的电压在变化，这个过程是一个动态恒流的过程，也就是Vgs电压和Id电流自动找平衡的动态过程。Vgs电压的变化伴随着Id电流相应的变化，其变化关系就是MOSFET的跨导gfs：

在这个过程中，Vgs电压保持不变，Vgd的电压为Vgs-Vds，为负压，就是D的电压高于G。当Id电流达到负载的最大允许电流ID(max)时，MOSFET进入下一个工作区：米勒平台区。

(3) 米勒平台区

从B点开始，Vds开始下降，Vgd负电压绝对值也开始下降，只要D极电压开始变化，就会产生非常大的dv/dt，通过电容Crss，产生的电流为：

这个电流足够大，可以将驱动电路能够提供的电流都抽取过去，驱动电路的电流几乎全部流过Crss，以扫除Crss电容存储的电荷，这样Cgs电容几乎没有电流流过，栅极电压也就基本维持不变，可以看到Vgs在一段时间B-C内维持一个平台电压，这就是米勒平台区。

对于增强型MOSFET（Enhancement-Mode MOSFET），在没有施加足够的正向电压（称为阈值电压）到栅极上时，它处于截止状态，漏极电流极小。只有当栅极施加了大于阈值电压的正向电压时，才会形成一个导电通道，允许电流从漏极到源极流过。因此，增强型MOSFET的漏极导通特性是需要外部输入适当的信号以打开导电通道的。

对于耗尽型MOSFET（Depletion-Mode MOSFET），在没有施加负向电压到栅极上时，它处于导通状态，漏极电流存在。当栅极施加负向电压时，负向电压会排斥导电通道中的载流子，使得通道变窄或关闭，减小或截止漏极电流。

不同类型的MOSFET具有不同的工作特性和开启条件，因此在设计电路时需要根据具体型号和应用要求选择合适的MOSFET类型，以确保所需的漏极导通特性得到满足。

功率MOSFET工作在线性区时，器件承受高的电压和耗尽层高压偏置会产生什么影响？

功率MOSFET工作在线性区时，器件承受高的电压，耗尽层高压偏置导致有效的体电荷减小;工作电压越高，内部的电场越高，电离加强产生更多电子-空穴对，形成较大的空穴电流。 特别是如果工艺不一致，局部区域达到临界电场，会产生非常强的电离和更大的空穴电流，增加寄生三极管导通的风险。

以上便是小编此次带来的有关MOSFET漏极导通特性的全部内容，十分感谢大家的耐心阅读，想要了解更多相关内容，或者更多精彩内容，请一定关注我们网站哦。