MOS管应用需求有哪些？MOS管死区损耗如何计算？

在下述的内容中，小编将会对x的相关消息予以报道，如果MOS管是您想要了解的焦点之一，不妨和小编共同阅读这篇文章哦。

一、MOS管应用需求

1. 低压应用

当使用5V电源，这时候如果使用传统的图腾柱结构，由于三极管的be只有0.7V左右的压降，导致实际最终加载gate上的电压只有4.3V，这时候，我们选用标称gate电压4.5V的MOS管就存在一定的风险。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。

2. 宽电压应用

输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。

为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。

同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。

3. 双电压应用

在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或3.3V数字电压，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。

这就提出一个要求，需要使用一个电路，让低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同样会面对1和2提到的问题。

二、MOS管的死区损耗计算

MOS 管在逆变电路，开光电源电路中经常是成对出现，习惯上称之为上管和下管，如图Figure 1中的同步Buck 变换器，High-side MOSFET 为上管， Low-side MOSFET为下管。

如果上管和下管同时导通，就会导致电源短路，MOS 管会损坏，甚至时电源损坏，这种损坏是灾难行动，必须避免．由于MOS 的开通和关断都是有时沿的，为了避免上管和下管同时导通，造成短路现象，从而引入了死区的概念，也就是上下管同时关断的区间，如图Figure2 中的E 和 F。

死区E---tDf上管关断，下管还没开启，下管体二极管续流，电流从最大值Io + ΔI/2 开始下降，由于死区时间很短，工程上计算可以近似为死区E的电流恒定，以方便计算。

死区Ｅ对应的功耗为：

死区F---tDf下管关断，上管还没开启，下管体二极管续流，电流接近最小值Io - ΔI/2 ，由于死区时间很短，工程上计算可以近似为死区F的电流恒定，以方便计算。

死区Ｆ对应的功耗为：

工程上快速估算时，也会用把两个死区的电流平均化，近似用Io替代， 一个完整的开关周期的死区损耗如下：

以上便是小编此次带来的有关MOS管的全部内容，十分感谢大家的耐心阅读，想要了解更多相关内容，或者更多精彩内容，请一定关注我们网站哦。