功率MOSFET的雪崩现象了解吗？功率MOSFET特性解读

功率MOSFET将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对功率MOSFET的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。

一、功率MOSFET的雪崩现象

在感性负载的电路应用中，MOSFET导通时对感性负载充电，电感积聚能量； 当MOSFET关闭时，感性负载中积聚的能量释放，引起MOSFET漏极和源极间电压急速上升，并有电流流过，直至能量释放结束，电流和电压降至为零，这个过程就是MOSFET中雪崩的现象，如下面的图1，图2，图3。

在图2中，MOSFET关闭时所承受的能量冲击被钳在了击穿电压VBR上，虽然datasheet中没有给出具体的VBR值，但我们可以根据已知的V(BR)DSS值估算出。 VBR≈3*V(BR)DSS。

在图4中，雪崩电流最大值IDS(AL)S和电流衰减时间tAL，及图5中的雪崩功率PDS(AL)M都和感性负载的感值，MOSFET关闭前电流的最大值有关。

二、功率MOSFET基本特性解读

静态特性：

其转移特性和输出特性如下图所示。

漏极电流ID和栅源间电压UGS的关系称为MOSFET的转移特性，ID较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导Gfs。

MOSFET漏极伏安特性（输出特性）：

截止区（对应于GTR的截止区）；饱和区（对应于GTR的放大区）；非饱和区（对应于GTR的饱和区）。电力 MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力 MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。

动态特性：

其测试电路和开关过程波形如下图所示。

td(on)导通延时时间——导通延时时间是从当栅源电压上升到10%栅驱动电压时到漏电流升到规定电流的10%时所经历的时间。

tr上升时间——上升时间是漏极电流从10%上升到90%所经历的时间。

iD稳态值由漏极电源电压UE和漏极负载电阻决定。UGSP的大小和iD的稳态值有关，UGS达到UGSP后，在up作用下继续升高直至达到稳态，但iD已不变。

开通时间ton——开通延迟时间与上升时间之和。

td(off)关断延时时间——关断延时时间是从当栅源电压下降到90%栅驱动电压时到漏电流降至规定电流的90%时所经历的时间。这显示电流传输到负载之前所经历的延迟。

tf下降时间——下降时间是漏极电流从90%下降到10%所经历的时间。

关断时间toff——关断延迟时间和下降时间之和。

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