PMOS的工作原理是什么？如何用BJT驱动PMOS？

一直以来，PMOS都是大家的关注焦点之一。因此针对大家的兴趣点所在，小编将为大家带来PMOS的相关介绍，详细内容请看下文。

一、PMOS及其工作原理

PMOS是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。全称 ： positive channel Metal Oxide Semiconductor；别名 ： positive MOS。

PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是电子，少数载流子是空穴，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。当达到强反型时，在相对于源端为负的漏源电压的作用下，源端的正电荷空穴经过导通的P型沟道到达漏端，形成从源到漏的源漏电流。同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。

二、BJT如何驱动PMOS

受限于MOS管的驱动阈值，在许多的应用场景中无法直接使用MCU或者SOC的GPIO电平驱动MOS的导通与关断，此时需要在MOS的G极处增加一个栅极驱动电路，实现GPIO电平可以驱动MOS。

下图演示了PMOS的自驱效应，当PMOS的G极连接S极时，VGS=0V，PMOS便会自开启，那么如果在PMOS的G极与GND之间增加一道SW开关，那么就可以实现G极电位在GND和Vin之间切换，那么就可以通过SW来控制PMOS的开启与关闭。

图：PMOS的自驱效应

将上图中的SW开关更换为三极管BJT，如下图 ，那么就是一个典型的BJT驱动高边PMOS的电路，其中C1，C2，Zener非必要。C1用做加速BJT打开，C2用做BJT快速关断，Zener用做VGS钳位，避免瞬时电压超过MOS的VGSmax耐压从而损坏MOS。

图：BJT驱动PMOS电路

R1和R2在一条路径上可以调节分压，也即调整G极电位，Q2关断时，VG=VS，VGS=VG-VS=0V，Q1导通时，VG=Vin×{R2/(R1+R2)}，VS=Vin，那么VGS=Vin×{R2/(R1+R2)}-Vin。当R1很大，R2很小，VGS≈Vin，此时如果VGS接近或超过Q1的GS耐压值VGSS，会损坏PMOS，那么这时就可以调整R1，R2的比例，将导通时VGS值调整至-VGSS＜VGS＜VGSTHmin。

以上就是小编这次想要和大家分享的有关PMOS的内容，希望大家对本次分享的内容已经具有一定的了解。如果您想要看不同类别的文章，可以在网页顶部选择相应的频道哦。