如何用BJT驱动NMOS？含使用实例

在这篇文章中，小编将对NMOS的相关内容和情况加以介绍以帮助大家增进对它的了解程度，和小编一起来阅读以下内容吧。

一、NMOS

NMOS英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金属-氧化物-半导体，而拥有这种结构的晶体管我们称之为NMOS晶体管。 MOS晶体管有P型MOS管和N型MOS管之分。由MOS管构成的集成电路称为MOS集成电路，由NMOS组成的电路就是NMOS集成电路，由PMOS管组成的电路就是PMOS集成电路，由NMOS和PMOS两种管子组成的互补MOS电路，即CMOS电路。

在一块掺杂浓度较低的P型硅衬底（提供大量可以动空穴）上，制作两个高掺杂浓度的N+区(N+区域中有大量为电流流动提供自由电子的电子源)，并用金属铝引出两个电极，分别作漏极D和源极S。然后在半导体表面覆盖一层很薄的二氧化硅(SiO2)绝缘层，在漏——源极间的绝缘层上再装上一个铝电极（通常是多晶硅），作为栅极G。在衬底上也引出一个电极B，这就构成了一个N沟道增强型MOS管。MOS管的源极和衬底通常是接在一起的(大多数管子在出厂前已连接好) 。

二、如何用BJT驱动NMOS

（一）如何驱动

因为NMOS经常用作低边开关，NMOS的低边开关很容易驱动，一般都不需要额外增加驱动电路。如下图是带电荷泵BJT驱动NMOS的高边开关，但很不常用。如果板级有额外高于Vin的电压Vdd，则可以去掉Charge Pump，直接使用分立开关控制Vdd和G极的通断。如果Charge Pump支持en使能，那么就可以去掉去掉G极驱动NMOS，直接使用GPIO控制Charge Pump的en，使能Charge Pump，输出高电压，干路MOS导通，不使能Charge Pump，不输出高电压，干路NMOS关断。

图：带电荷泵BJT驱动NMOS高边开关

（二）设计结果验证

*设计结果：*如下图，Ctrl输出3.3V高电平时，BJT导通，R1和R2组成分压电路，当R1远大于R2，Vg-Vs≈24V，PMOS导通；Ctrl输出0V低电平时，BJT关断，此时Vg-Vs≈0V，PMOS关断。

图：设计结果

*功耗分析：*L2SC4081ST1G导通时，LP73027DT3WG也导通，此时电阻R1和R2串接在Vin和GND之间，存在电流消耗，根据P=U²/R，R越大，功耗越小，这也就是R1取值比较大的原因之一。L2SC4081ST1G导通也有电流损耗，虽然建议Ib稍大，但不能过于大，建议取Ib=1mA为通用计算取值。

（三）使用举例

图：实例1

如上图所示是VT11驱动VT12，VT11的基极额外使用二极管搭建了一个简易或门，允许多个信号驱动VT11导通，从而打开VT12。

图：实例2

如上图所示是VT33驱动VT20，VCC=3.3V，使用的PMOS其VGSth=-3V~-1V，X9H_PWR_ON电平为1.8V，那么1.8-3.3=-1.5V，刚好处于VGSTH之间，存在导通隐患，所以增加一个VT33驱动电路。如果X9H_PWR_ON电平是3.3V，那么就可以直接驱动VT20。

最后，小编诚心感谢大家的阅读。你们的每一次阅读，对小编来说都是莫大的鼓励和鼓舞。希望大家对NMOS已经具备了初步的认识，最后的最后，祝大家有个精彩的一天。