PMOS也能实现分立式负载开关？看大佬是怎么解读的

在这篇文章中，小编将为大家带来负载开关的相关报道。如果你对本文即将要讲解的内容存在一定兴趣，不妨继续往下阅读哦。

一、负载开关

负载开关是一种电器开关，主要用于控制电路中的负载（电器或灯泡等）。它的作用是能够方便地控制和切换电路中的负载，从而实现电路开关和负载控制的目的。它通常应用在工业自动化控制系统和家庭电器等领域。负载开关与普通的电器开关不同，它具有更强的能力和功能，比如能够承受更高的负载和电压，同时还可以实现智能化控制和程序化操作。

负载开关一般具有以下作用：

1.保护电路：当电路中出现故障或超过负载能力时，负载开关能够及时切断电路，以保护设备和人员的安全。

2.控制负载：负载开关可以控制电路中的负载，从而实现负载的开关、调整和控制。

3.节能降耗：负载开关可以在不使用电器的情况下，及时切断电源，从而节约能源和电费。

4.增加电路可靠性：使用负载开关可以提高电路的稳定性和可靠性，短时间内断开故障所在电路，把故障所在电路与整个系统隔离开来，从而防止故障扩散，保持整个电机设备运转的安全。

二、PMOS分立式负载开关

1、负载开关的类型

图：NMOS和PMOS寄生模型

在深入研究关键参数之前，我们先来看看不同类型的负载开关。高压侧负载开关将负载与电源连接或断开，由外部启用信号控制开关将高压侧电源电流切换到负载。而低压侧开关将负载与地连接或断开，从而从负载吸收电流。

负载开关可以容易地用MOSFET实现，MOSFET将电流从电源传递到负载，并通过控制信号接通或断开。将控制信号提供给MOSFET的栅极驱动电路以接通或断开MOSFET。

2、P沟道高侧负载开关

使用P沟道MOSFET，通过将输入电压连接到MOSFET源极，将负载连接到MOSFET漏极，可以实现高侧负载开关，见下图， 将栅极拉低将使电流流入负载Rload。

图：增强型P-ch MOS高边负载开关

3、P沟道低侧负载开关

如果使用PMOS设计低边开关，那么导通时S极就几乎是GND电平，在需要PMOS关断的状态下，G极电位可以是0电平甚至是正电平，但是需要PMOS导通时，G极电位就必须是负电平，这样的设计更加复杂，所以不会使用PMOS做低边开关。

4、关键参数

负载开关的关键参数是连接电压输入和电压输出引脚之间的MOSFET的导通电阻RDSon、MOS承受的最大电流IDmax以及电路能够承受的最大电压VDSmax。导通电阻越低，MOS管的功耗越低，从输入到输出的电压降越低。

虽然RDSon、IDmax和VDSmax是MOSFET的参数，但负载开关的最大压降和最大功耗可以通过以下公式计算，给定电流I：

现在的MOSFET通常具有几十mΩ的导通电阻值，因此如果负载开关具有50mΩ的接通电阻并控制200mA的负载，MOSFET在接通时仅消耗2mW，并且具有10mV的输入到输出电压降。即使峰值电流为1A，也只会导致50mV的电压降和50mW的峰值功耗。

由于负载开关电路在电源接通时是动态的，因此设计时需要满足低泄漏电流，即源极和漏极之间的泄漏电流应尽可能接近零，这个参数同样可以在datasheet中找到。

以上便是小编此次想要和大家共同分享的有关负载开关的内容，如果你对本文内容感到满意，不妨持续关注我们网站哟。最后，十分感谢大家的阅读，have a nice day！