英飞凌携手AWL-Electricity通过氮化镓功率半导体优化无线功率

【2024年10月21日, 德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布与总部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作关系，后者是兆赫级电容耦合谐振式功率传输技术的领导者。英飞凌将为AWL-E提供CoolGaN™ GS61008P，帮助该公司开发先进的无线功率解决方案，为各行各业开辟解决功率难题的新途径。

英飞凌CoolGaN™ GS61008P

此次合作将英飞凌的先进氮化镓（GaN）技术与AWL-E创新的兆赫级电容耦合谐振式功率传输系统相结合，实现了行业领先的无线功率效率。英飞凌的GaN晶体管技术具有极高的效率和功率密度，而且可在极高的开关频率下工作。这使AWL-E能够延长系统使用寿命、减少停机时间和运营成本，并提高产品的易用性。汽车行业利用该技术将车内体验和座椅动态性提升到一个新的水平；工业系统则利用该技术获得近乎无限的设计自由，包括自动导引车辆、机器人应用等。此外，由于该技术允许采用全密封系统设计，因此无需配备充电端口，减少了全球电池的使用量。

AWL-E AgileStation

英飞凌科技电源与传感系统（PSS）事业部全球合作与生态系统管理团队的Falk Herm表示：“通过合作伙伴，我们再次证明了AWL-E能够充分发挥英飞凌CoolGaN™技术的系统级优势，提高紧凑性和效率。AWL-E与英飞凌在能力上形成互补，此次合作展示了GaN可以在兆赫频率下工作的特点，改变了功率晶体管的应用范式，带来了更加环保、性能更好的产品。”

AWL-E联合创始人、副总裁兼业务开发总监Francis Beauchamp-Verdon表示：“英飞凌认为最终需要通过一个强大的产业生态满足当今的功率需求，因此以一种特殊的方式让我们加入他们的大家庭。英飞凌的GaN晶体管、评估板和合作机会使我们基于GaN的兆赫级功率耦合系统得到普及。”

英飞凌是功率半导体市场的领导者，也是目前唯一一家掌握所有功率技术，同时提供全部产品和技术组合的制造商，包括硅器件（例如SJ MOSFET、IGBT）、碳化硅器件（例如肖特基二极管和 MOSFET）和氮化镓器件（增强型HEMT）。其产品涵盖了裸片、分立器件和模块。