当前位置:首页 > > 电力电工电路
[导读]开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成。

开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率,维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉冲宽度调制(PWM)控制ICMOSFET构成。随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新。目前,开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备,是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。 用途:  开关电源产品广泛应用于工业自动化控制、军工设备、科研设备、LED照明、工控设备、通讯设备、电力设备、仪器仪表、医疗设备、半导体制冷制热、空气净化器,电子冰箱,液晶显示器,LED灯具,通讯设备,视听产品,安防监控,LED灯袋,电脑机箱,数码产品和仪器类等领域。

工作原理:  开关电源的工作过程相当容易理解,在线性电源中,让功率晶体管工作在线性模式,与线性电源不同的是,PWM开关电源是让功率晶体管工作在导通和关断的状态,在这两种状态中,加在功率晶体管上的伏-安乘积是很小的(在导通时,电压低,电流大;关断时,电压高,电流小)/功率器件上的伏安乘积就是功率半导体器件上所产生的损耗。与线性电源相比,PWM开关电源更为有效的工作过程是通过“斩波”,即把输入的直流电压斩成幅值等于输入电压幅值的脉冲电压来实现的。开关电源伯特图脉冲的占空比由开关电源的控制器来调节。一旦输入电压被斩成交流方波,其幅值就可以通过变压器来升高或降低。通过增加变压器的二次绕组数就可以增加输出的电压值。最后这些交流波形经过整流滤波后就得到直流输出电压。控制器的主要目的是保持输出电压稳定,其工作过程与线性形式的控制器很类似。也就是说控制器的功能块、电压参考和误差放大器,可以设计成与线性调节器相同。他们的不同之处在于,误差放大器的输出(误差电压)在驱动功率管之前要经过一个电压/脉冲宽度转换单元。开关电源有两种主要的工作方式:正激式变换和升压式变换。尽管它们各部分的布置差别很小,但是工作过程相差很大,在特定的应用场合下各有优点。

单端:通过一只开关器件单向驱动脉冲变压器。

正激:脉冲变压器的原/付边相位关系,确保在开关管导通,驱动脉冲变压器原边时,变压器付边同时对负载供电。

电路的最大问题是:开关管T交替工作于通/断两种状态,当开关管关断时,脉冲变压器处于“空载”状态,其中储存的磁能将被积累到下一个周期,直至电感器饱和,使开关器件烧毁。图中的D3与N3构成的磁通复位电路,提供了泄放多余磁能的渠道。

反激式电路与正激式电路相反,脉冲变压器的原/付边相位关系,确保当开关管导通,驱动脉冲变压器原边时,变压器付边不对负载供电,即原/付边交错通断。脉冲变压器磁能被积累的问题容易解决,但是,由于变压器存在漏感,将在原边形成电压尖峰,可能击穿开关器件,需要设置电压钳位电路予以保护D3、N3构成的回路。从电路原理图上看,反激式与正激式很相象,表面上只是变压器同名端的区别,但电路的工作方式不同,D3、N3的作用也不同。


线性放大电路中的乙类推挽功率放大器设计

这种电路结构的特点是:对称性结构,脉冲变压器原边是两个对称线圈,两只开关管接成对称关系,轮流通断,工作过程类似于线性放大电路中的乙类推挽功率放大器。

主要优点:高频变压器磁芯利用率高(与单端电路相比)、电源电压利用率高(与后面要叙述的半桥电路相比)、输出功率大、两管基极均为低电平,驱动电路简单。

主要缺点:变压器绕组利用率低、对开关管的耐压要求比较高(至少是电源电压的两倍)。

这种电路结构的特点是:由四只相同的开关管接成电桥结构驱动脉冲变压器原边。

T1、T4为一对,由同一组信号驱动,同时导通/关端;T2、T3为另一对,由另一组信号驱动,同时导通/关端。两对开关管轮流通/断,在变压器原边线圈中形成正/负交变的脉冲电流。

主要优点:与推挽结构相比,原边绕组减少了一半,开关管耐压降低一半。

主要缺点:使用的开关管数量多,且要求参数一致性好,驱动电路复杂,实现同步比较困难。这种电路结构通常使用在1KW以上超大功率开关电源电路中。

电路的结构类似于全桥式,只是把其中的两只开关管(T3、T4)换成了两只等值大电容C1、C2。


线性放大电路中的乙类推挽功率放大器设计

主要优点: 具有一定的抗不平衡能力,对电路对称性要求不很严格; 适应的功率范围较大,从几十瓦到千瓦都可以; 开关管耐压要求较低; 电路成本比全桥电路低等。 这种电路常常被用于各种非稳压输出的DC变换器,如电子荧光灯驱动电路中。

声明:该篇文章为本站原创,未经授权不予转载,侵权必究。
换一批
延伸阅读

-三款新器件助力提升工业设备的效率和功率密度-

关键字: SiC MOSFET 开关电源

在电子系统中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为一种常用的开关器件,其开关过程中的电磁干扰(EMI)问题备受关注。

关键字: MOSFET

【2025年8月1日,德国慕尼黑讯】全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出了采用顶部散热(TSC)Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOS...

关键字: MOSFET 电动汽车 伏逆变器

7月18日,由鲁欧智造(山东)数字科技有限公司主办、中关村集成电路设计园、北航确信可靠性联合实验室协办的第三届用户大会在北京朗丽兹西山花园酒店成功举办。本次大会以“开启电子热管理技术圈的正向设计之门”为主题,吸引了来自全...

关键字: SiC MOSFET 功率半导体

许多电源转换应用都需要支持宽输入或输出电压范围。ADI公司的一款大电流、高效率、全集成式四开关降压-升压型电源模块可以满足此类应用的需求。该款器件将控制器、MOSFET、功率电感和电容集成到先进的3D集成封装中,实现了紧...

关键字: 稳压器 控制器 MOSFET

在电力电子系统中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)作为核心开关器件,其可靠性直接影响系统寿命。据统计,功率器件失效案例中,MOSFET占比超过40%,主要失效模式包括雪崩击穿、热失控、栅极氧化层击穿等。本文从...

关键字: MOSFET 电力电子系统

在数据中心直流供电系统向高密度、高频化演进的进程中,碳化硅(SiC)MOSFET凭借其低导通电阻、高频开关特性及高温稳定性,成为替代传统硅基IGBT和MOSFET的核心器件。然而,其高速开关过程中产生的直流电磁干扰(EM...

关键字: 碳化硅 MOSFET 直流EMI

美国宾夕法尼亚州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产,首款产品为150V MOSFET。同时,一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。

关键字: MOSFET 功率器件 IGBT

协议旨在整合利用Microchip mSiC™技术与台达智能节能解决方案,加速可持续应用开发

关键字: 碳化硅 电源管理 MOSFET

【2025年7月17日, 德国慕尼黑讯】全球领先的交通出行解决方案供应商DENSO在其年度北美商业合作伙伴大会(NABPC)上,为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQ...

关键字: 自动驾驶 可持续发展 MOSFET
关闭