模拟电路晶体管的值是如何确定的？模拟电路开发经验分享

以下内容中，小编将对模拟电路的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对模拟电路的了解，和小编一起来看看吧。

一、模拟电路晶体管的取值过程

1. 确定晶体管工作点晶体管工作点的选择是设计模拟电路的起点。晶体管的工作点通常由集电极电流IC、基极电流IB以及集电极电压VCE确定。在一般的线性放大电路设计中，通常会选择ICQ、IBQ和VCEQ作为晶体管的工作点参数。其中，ICQ是静态工作点电流，表示晶体管在静态工作时的集电极电流，IBQ为静态基极电流，表示晶体管在静态工作时的基极电流，VCEQ是静态工作点电压，表示晶体管在静态工作时的集电极电压。工作点的选择应该是对电路设计有利的，一般在合理范围内选择，使得晶体管能够在设定的放大范围内工作。2. 确定晶体管的类型根据设计需要，选择相应类型的晶体管，包括P型和N型，以及增强型和耗尽型。不同类型的晶体管具有不同的特性，需要根据具体要求来进行选择。3. 确定晶体管的参数在确定晶体管参数时，需要考虑到电路的放大要求、频率响应、输出功率等方面。主要参数包括最大电流IC，饱和电压VCEsat，输入电容Cin，输出电容Cout，最高工作频率ft等。4. 确定偏置电源晶体管的偏置电源是其正常工作的重要保证。偏置电源的选择应该适当，可以采用直流偏置电源或者交流偏置电源。直流偏置电源常用于低频放大器设计，交流偏置电源常用于高频放大器设计。5. 进行精确测量在取值过程中，需要进行精确的测量。利用特定的测试仪器对晶体管进行测量，例如测量ICQ，IBQ，VCEQ等参数，以及频率响应等指标。

二、模拟电路大佬总结的经验

1、增强型FET必须依靠栅源电压Vgs才能起作用（开启电压Vt），耗尽型FET则不需要栅源电压，在正的Vds作用下，就有较大的漏极电流流向源极

2、N沟道的MOS管需要正的Vds（相当于三极管加在集电极的Vcc）和正的Vt（相当于三极管基极和发射极的Vbe），而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt。

3、VMOSFET有高输入阻抗、低驱动电流；开关速度快、高频特性好；负电流温度系数、无热恶性循环，热稳定型优良的优点。

4、运算放大器应用时，一般应用负反馈电流。

5、差分式放大电路：差模信号：两输入信号之差。共模信号：两输入信号之和除以2。由此：用差模与共模的定义表示两输入信号可得到一个重要的数学模型：任意一个输入信号=共模信号±差模信号/2。

6、差分式放大电路只放大差模信号，抑制共模信号。利用这个特性，可以很好的抑制温度等外界因素的变化对电路性能的影响。具体的性能指标：共模抑制比Kcmr。

7、二极管在从正偏转换到反偏的时候，会出现较大的反向恢复电流从阴极流向阳极，其反向电流先上升到峰值，然后下降到零。

8、在理想的情况下，若推挽电路的两只晶体管电流、电压波完全对称，则输出电流中将没有偶次谐波成分，及推挽电路由已知偶次谐波的作用。实际上由于两管特性总有差异，电路也不可能完全对称，因此输出电流还会有偶次谐波成分，为了减少非线性失真，因尽量精选配对管子。

9、为了获得大的输出功率，加在功率晶体管上的电压、电流就很大，晶体管工作在大信号状态下。这样晶体管的安全工作就成为功率放大器的一个重要问题，一般不以超过管子的极限参数（Icm、BVceo、Pcm）为限度。

10、放大电路的干扰：1、将电源远离放大电路2、输入级屏蔽3、直流电源电压波动。

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