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中国大陆晶圆代工价格便宜　IDM考虑转向

为降低成本，集成元件大厂(Integrated Device Manufacturer；IDM)委外代工已成既定趋势，然随著大陆市场崛起，以及大陆本土晶圆代工厂实力逐渐增强，加上价格较为便宜，IDM未来恐进一步将委外订单释出给大陆晶圆代工

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2011-01-21

晶圆代工 DM 台积电联电
台积电与GLOBALFOUNDRIES面临首次对决

2011年1月1日，东芝实施了系统LSI业务重组。其关键措施是，将部分40nm工艺SoC（System On A Chip）及32/28nm工艺以后的SoC生产，委托给包括韩国三星电子（Samsung Electronics）在内的数家芯片代工（Foundry）企业。

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2011-01-21

芯片代工 LSI GLOBALFOUNDRIES 台积电
华力微电子4月初试产半导体业909工程升级

中国半导体行业的909工程升级项目——上海华力微电子有限公司(下称“华力”)将于今年4月初试产。这也是迄今为止首个完全由国有资金投资的12英寸半导体工厂项目。《第一财经日报》从华力官网看到，1月17日，华力的经营

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2011-01-21

英特尔微电子台积电
汇丰：台积电下半年毛利有隐忧

晶圆代工龙头台积电，下周即将举行法说会，汇丰环球证券分析师鲍礼信（Steve Pelayo）预估，多项产品晶片需求拉抬下，单季获利将优于预期，单季获利可望达391亿元，但由于下半年毛利率有隐忧，因此仍维持中立评等，目

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2011-01-21

晶片晶圆代工台积电
CEA-Leti将启动专门用于三维积层技术的300mm研发生产线

法国研究机构CEA-Leti于2011年1月19日（当地时间）宣布，将在本月内启动专门用于三维积层技术研发和试制的300mm生产线。该机构表示，构建专门用于三维积层技术的研发生产线“在欧洲尚属首次”。据悉，此次生产线

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2011-01-21

晶圆 CMOS CE
联电CMOS-MEMS技术研发有成　预计今年量产

晶圆代工大厂联华电子(UMC，联电)日前宣布成功为客户产出微机电系统(Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS)感测器晶片，预计于今年进入量产；该公司表示其三年来投入 CMOS-MEMS 技术的研发，终于获得丰硕的成果。

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2011-01-21

感测器 CMOS MEMS技术联电
小摩续喊进台积电

整合元件大厂委外代工释单将持续激励晶圆代工的成长，摩根大通证券认为，台积电(2330)产能已跟上委外趋势，预期台积电三座12寸超大晶圆厂(GigaFab)产能将较去年第四季倍增，此外，台积电去年第四季毛利率达到先前预期

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2011-01-20

元件晶圆厂晶圆代工台积电
起因于RTN的SRAM误操作进行观测并模拟的方法

瑞萨电子开发出了对起因于随机电报噪声（RTN：Random Telegraph Noise）的SRAM误操作进行观测并实施模拟的方法。利用该方法可高精度地估计22nm以后尖端LSI中的RTN影响，适当设定针对RTN的设计余度。该公司已在&ldquo

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2011-01-20

晶体管模拟 SRAM LSI
单点温度保护系统的容错逻辑设计

为了提高温度保护系统的可靠性，在温度保护的逻辑设计中可采用容错设计，即尽可能考虑测温环节在运行中容易出现的故障，并通过预先设置的逻辑措施来识别错误的温度信号，以防保护系统误动。

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2011-01-20

温度保护系统逻辑设计轴承
半导体业909工程升级华力微电子4月初试产

中国半导体行业的909工程升级项目——上海华力微电子有限公司(下称“华力”)将于今年4月初试产。这也是迄今为止首个完全由国有资金投资的12英寸半导体工厂项目。《第一财经日报》从华力官网看到，1月17日，华力的经营

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2011-01-20

英特尔微电子台积电
GlobalFoundries宣布其28纳米制程服务已准备就绪

晶圆代工业者GlobalFoundries与其EDA、IP供货商伙伴共同宣布，已经完成28纳米CMOS制程的数字设计流程验证；该制程命名为“超低功耗(superlowpower，SLP)”，包含闸优先(gate-first)的高介电金属闸极堆栈(high-kmetal

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2011-01-20

布线 IP DFM GLOBALFOUNDRIES
有源电力滤波器三种基波提取方法的对比分析

1 引言随着现代电力电子技术的飞速发展, 电网中增加了大量的非线性负载,如大容量变流设备、变频设备、开关电源等的广泛应用,导致大量谐波的产生,这些谐波使电网电压和电流波形发生畸变,使得电能质量日益下降。

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2011-01-20

有源电力滤波器 IP IC BSP
联电MEMS感测芯片成功产出

晶圆代工厂联电投入微机电 (MEMS)技术开发已3年，19日宣布成功产出CMOS-MEMS感测芯片，预计2011年投入量产。联电CMOS-MEMS技术制造的麦克风元件已完成功能验证，讯噪比 (S/N ratio) 已可达到 56dBA 以上的水平，其性

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2011-01-20

MEMS CMOS 感测芯片联电
IBM与ARM达成芯片制造合作协议

2010年1月19日国际报道：IT巨头IBM负责芯片设计和制造的微电子事业部与ARM控股公司签署合作协议，确保他们ARM芯片的许可证授权可以进行ARM芯片的制造和研发。ARM控股公司自2008年以来一直与IBM公司微电子事业部进行

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2011-01-20

IBM 芯片制造 ARM ARM芯片
联电MEMS感测芯片　迈入量产

晶圆代工厂联电投入微机电 (MEMS)技术开发已3年，19日宣布成功产出CMOS-MEMS感测芯片，预计2011年投入量产。联电CMOS-MEMS技术制造的麦克风元件已完成功能验证，讯噪比 (S/N ratio) 已可达到 56dBA 以上的水平，其性

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2011-01-20

MEMS CMOS 感测芯片联电

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起因于RTN的SRAM误操作进行观测并模拟的方法

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