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《材料》DRAM/封测连动高，华立/长华Q3乐观
晶圆代工大厂台积电(2330)、联电(2303)法说落幕，分别释出Q3旺季效应仅温和，营收估将微幅季增4~6%、3~4%的营运展望，也牵动半导体材料商后续订单状况。整体而言，半导体材料商对Q3营运看法也随着客户群分布的不同，
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IBM、意法半导体 拟印度建晶圆厂
国际商业机器公司（IBM）和意法半导体（STMicroelectronics），有意投资5000亿卢比（约82亿美元），设置印度首座晶片厂，两家公司正与印度政府磋商中。 「印度时报」（The Times of India）今天引述熟知内情政府官
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利基型封测撑腰，华东Q3营收/毛利率估同增
记忆体封测厂华东(8110)今召开法人说明会，总经理于鸿祺指出，华东今年Q2的利基型记忆体封测营收比重已升至74%，且终端需求持续看增，华东预期Q3营收将较Q2的22.26亿元增长，毛利率也有回升空间。于鸿祺表示，下半年
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TDK推出两款小公差EPCOS（爱普科斯）NTC热敏电阻系列
21ic讯 TDK集团最新推出两款小公差EPCOS(爱普科斯)NTC热敏电阻系列。该热敏电阻具有EIA 0402和0603 SMD两种封装尺寸，额定阻值为10kΩ，公差等级为±1%、±3%和±5%。新的生产技术和坚固的玻
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研调In-Cell触控在手机市占今年上看13.7%
经过苹果Apple转换触控技术，市场研究机构NPD Display Search指出，2013年触控感应器结构竞赛已开启新页。从手机产品来看，in-cell触控面板出货量将持续放大，其市占率估将从2012年的7.3%上升到2013年的13.7%。G/GDI
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智能家居：压力传感器 促进和改善睡眠
睡眠好的人永远体验不了失眠的痛苦。日常生活中，由于各种原因会导致睡眠质量的下降，影响人们的生活质量，降低工作效率。为此，研究分析得出，压力传感器对于人们睡眠质量能够进行数据分析，并将其转换成合适的音乐
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GlobalFoundries收获高通28nm晶圆订单
高通在移动设备领域的处理器工艺普遍已经进入到28nm阶段，而且此前均由台积电代工生产；受制于台积电产能的影响以及价格因素，有消息称高通将会在9月份起将五分之一的28nm晶圆订单转交给28nm工艺同样已经成熟的Globa
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与IBM攻10纳米 联电强化竞争力
联电（2303）执行长颜博文昨（7）日表示，联电跳过20纳米，与IBM合作14纳米FinFET（鳍式场效晶体管）制程，近期更加入IBM 10纳米FinFet CMOS联盟，将缩短和竞争对手在先进制程差距。 联电昨天公布第2季约当8寸晶圆
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日月光7月EMS出货带动 合并营收达175亿元 创今年新高
IC封测日月光(2311-TW)今(7)日公布 7 月营收，封测事业营收达121.85亿元，较 6 月微幅下滑0.2%，较去年成长10.6%，不过合并营收在EMS的WIFI模组出货强劲带动下，达175.3亿元，较 6 月成长5.6%，年增11.8%，创今年新高
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联电估Q3出货季增3%以上 部分客户需求下修 Q4库存修正
联电(2303-TW)(UMC-US)今(7)日举办线上法说公布第2季财务报告并对第3季营运提出预告。联电预期第三季营收持续成长，出货季增3%以上；同时联华电子执行长颜博文表示，第4季仍将面临季节的库存修正且近期已观察发现部分
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台积电TCAD部门总监 台积电将全面翻新晶圆制程
台积电正多管齐下打造兼顾效能与功耗的新世代处理器。为优化处理器性能并改善电晶体漏电流问题，台积电除携手矽智财(IP)业者，推进鳍式电晶体(FinFET)制程商用脚步外，亦计划从晶圆导线(Interconnect)和封装技术着手
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FinFET复杂度破表 半导体设备商投资不手软
鳍式电晶体(FinFET)制程将带动新一波半导体设备投资热潮。由于FinFET导入立体式电晶体结构，使得晶圆制程中的蚀刻和缺陷检测复杂度较以往大幅攀升，因此包括科林研发(Lam Research)和东京威力科创(TEL)等半导体设备大
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联电Q2 EPS 0.15元 40奈米以下营收占比2成
联电(2303-TW)(UMC-US)今(7)日举办线上法说并公布第2季财务报告，第2季归属母公司净利为新台币18.1亿元，每股普通股获利为新台币0.15元；当中40奈米及以下制程的营收比重从第1季的18%提升到2成。 联电第2季营业收
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GlobalFoundries虎口夺食：抢来高通28nm订单
业内消息称，从今年9月份起，高通将把其五分之一的28nm晶圆订单，大约1万块，从台积电转交给GlobalFoundries。GF长期因为工艺进展缓慢而备受批评，一度导致台积电垄断28nm市场。现如今，GF 28nm生产线看上去已经完全
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挽救半导体落后颓势 日本成立PDEA
日本近期传出日本半导体产业成立功率元件促进协会(Power Device Enabling Association，PDEA)，主要的原因在于，日本在功率元件的技术发展，约略落后全球的平均水平，故成立该协会希望能迎头赶上，同时也能在各类重工
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