• 台积 获巨积新订单

    台积电(2330)28奈米接单再度报捷,获美商巨积(LSI)新订单,有助台积电顺利完成明年下半贡献1%至2%营收目标。 巨积昨天昨(15)日宣布,推出28奈米客制化硅晶平台,采用台积电高效能(HP)高介电金属闸制程技

  • LSI硅晶平台采用台积电28HP技术

    艾萨(LSI)近日发表最新28奈米客制化硅晶平台,该平台采用台积电28HP--高介电金属闸制程技术,包含一系列丰富的硅智财(IP)模块和针对客制化系统单芯片(SoC)的先进设计方式。 艾萨客制解决方案部门资深副总裁暨总

    模拟
    2010-11-16
    SoC LSI HP 台积电
  • 台湾半导体产能 明年称王

    根据市调机构IC Insights统计,台湾半导体厂积极扩充晶圆厂产能,已经让台湾的晶圆厂月产能快速成长,预计明年中旬时,月产能将达300万片8吋约当晶圆,超越日本成为全球拥有最大半导体晶圆厂产能的国家。 由于自

  • 美信、力晶BCD-MOS制程 投片

    继德州仪器开始在美国12吋厂RFAB开始生产模拟IC之后,另一模拟芯片整合组件大厂美信半导体(Maxim)宣布,透过与台湾DRAM大厂力晶科技合作,成功完成0.18微米双载子/互补/扩散金属氧化半导体(BCD-MOS)制程认证,并

  • SEMI:Q3硅晶圆供货量再创历史新纪录

    国际半导体制造装置材料协会(SEMI)公布了半导体用硅晶圆2010年第三季度(2010年7~9月)的供货业绩。发布资料显示,硅晶圆供货面积自2009年第一季度(2009年1~3月)触底后连续6个月增加,继2010年第二季度(2010年

  • 和舰科技,四步助力“新鲜人”华丽转身

    和舰科技(苏州)有限公司是一家尖端的集成电路制造企业,因属新兴高科技产业,所以在专业人才招募上一直存在难度。由于很难找到具有半导体制造专业经验的人员,因此和舰科技制定了“校园招募加后期培养”的人才培养

  • 2010“LED与城市照明”论坛在沪顺利召开

    2010 年 11月 10 日,中国上海讯 由中国国际工业博览会组委会、中国照明电器协会半导体照明专业委会、上海市光电子行业协会、上海世博(集团)有限公司主办,科锐赞助的2010“LED与城市照明”今天在上海新国际博览中

  • 台系LCD驱动IC厂抢进12吋制程,与日厂别苗头

    在瑞萨(Renesas)等日厂率先启动LCD驱动IC的12吋缩微制程后,包括联咏(3034)、旭曜(3545)和奕力(3598)等台系LCD驱动IC设计厂,也积极寻求在今年年底至明年第一季就导入12吋制程,以降低成本。LCD驱动IC目前以8吋为主

  • 基于谐波检测中的数字低通滤波器的MATLAB设计

     由于电力系统中非线性电子元件的大量使用,使得谐波污染问题日益严重,当谐波含量超过一定限度时就可能对电网和用户造成极大的危害,且增加线路损耗,降低线路传输能力,干扰通信信号等。因此,应该积极寻找一种治

  • Vishay官方网站发布5个光电子产品在线讲座

    日前,Vishay Intertechnology, Inc宣布,为帮助客户了解固态照明、光耦可控硅、光电二极管、高速光耦和环境光传感器的应用及关键参数,Vishay在其网站上的视频中心(http://www.vishay.com)中加入5个新的光电子产品在

  • 恩智浦半导体公布2010年第三季度业绩

    · 恩智浦收入同比增长25%,高性能混合信号(HPMS)业务增长36%· 按公认会计准则(GAAP)计算,毛利率增至41.8%;按非公认会计准则计算,毛利率增至42.8%· 按公认会计准则计算,营业利润率增至10.7%;

  • 从2.5D到3D IC封装

    李洵颖 日月光积极推动3D IC技术,其集团总经理唐和明曾表示,当2D晶体管的极小化制程到达极限时,就意味着3D IC时代已经来临。然而,在3D IC大规模商业化之前,使用硅插技术(silicon interposer)的2.5D IC芯片封装

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    2010-11-15
    POS IC封装 SE INTER
  • 高通吃苹果大单 台积电受惠

    3G芯片龙头高通(Qualcomm)接获苹果(Apple)大单,由于受惠于苹果iPad、iPhone热卖,加上新一代产品将推出,近期业界传出高通积极增加在晶圆代工厂台积电投片量,目前台积电仍有许多客户在排队,业界推估台积电2011年首

  • 中芯团队重整

    2009年底在台积电(TSMC)与中芯国际(SMIC)针对诉讼案达成后,中芯国际宣布原CEO张汝京以追求个人兴趣为由辞去职务,并由王宁国接任中芯国际执行董事兼总裁与CEO。现任总裁兼执行长王宁国上任后,进行团队重整、稳定客

  • Via First和Via Last

    TSV制程以目前开发的技术及制程的先后顺序,可分为先钻孔(Via First)与后钻孔(Via Last);采用Via First制程均须在传统后段封装制程前进行导孔形成(Via Forming)与导孔充填(Via Filling)的步骤,而此类制程的Via For

    模拟
    2010-11-15
    ST FIR RS VIA
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