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宏力半导体高/低端MCU工艺制程成功量产
上海宏力半导体制造有限公司 (宏力半导体)，宣布其专为微控制器(MCU)开发的涵盖高端及低端应用平台的工艺制程均已经成功量产，包括低本高效的OTP ，高性能的eFlash (嵌入式闪存)以及EEPROM制程平台。低本高效的OTP技
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台积电与15家夥伴完成供应链碳足迹辅导专案
晶圆代工大厂台积电(TSMC)日前宣布，该公司已在经济部工业局协助下，与15家供应商夥伴共同于2月份完成“半导体供应链碳足迹辅导与推广计划”；这是台积电继2009年6月份带领其供应商夥伴成功完成“供应链碳盘查辅导计
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ABI：MEMS市场出货量将在2016年达到近50亿颗
微机电系统(MEMS)似乎已经成为今日消费性电子装置的“万能瑞士刀”，因为该技术可制作加速度计、陀螺仪、磁力计、高度计、显示萤幕、投影机与麦克风等各种元件；根据市场研究机构 ABI Research 的预测，MEMS市场将在
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Qcept为亚洲主要晶圆厂提供 NVD检测方案
Qcept Technologies 公司日前宣布，已经有两家位于亚洲的大型半导体制造商，采用了 Qcept 的 ChemetriQ 5000 非光学可视性缺陷(NVD)检测系统。不论是提供有无图案化(pattern)的晶圆， ChemetriQ 5000 都能检测出 NVD
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日本地震致晶圆大厂生产瘫痪,5月起市场料供不应求
用于制造半导体芯片(晶片)的硅晶圆或从5月开始供不应求,因日本3月11日强震导致两家主要工厂停产.不过几位分析师指出,市场紧俏可能只是短暂现象,因地震前业内产能过剩且库存充裕.韩国LGSilitron或可抓住这次机会,进一
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TI在类比IC市场之领先地位牢不可破
根据Databeans发布的报告，TexasInstruments去(2010)年在类比IC市场的领先地位牢不可破，相关营收达到62亿美元，占有全球市场的15%左右。去年度的全球市场规模为422亿8500万美元，比前年的320亿美元增加32%。TI去年相
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日厂转单慢又小 台积电评估地震影响轻
台积电董事长张忠谋针对日本311强震后所表示的最新看法，是认为日本整合元件大厂(IDM)已有初步转单动作，但由于晶片订单多为高度客制化产品，所以所谓的转单效应，短期是既小又慢。不过，内部先前担心2012年先进制程
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台积电计划将上海8英寸工厂的产能提升到每月11万片
记者从上海环保局独家获悉，台积电(中国)有限公司（下称“台积电”）拟扩建8英寸集成电路圆晶芯片生产线，新建产能将是原有产能的2倍以上。台积电(中国)有限公司一期(第二阶段)产能扩充项目环境影响报告书透露，本产
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日本Renesas受强震影响扩大委外代工 台积电受惠
根据媒体报导，日本最大整合元件制造厂（IDM）Renesas电子表示，受日本大地震影响，Ren esas电子的7座工厂停工，1座工厂因限电而停工，换算已影响到46万片8寸约当晶圆的产能损 失，占Renesas总产能的一半，虽然包
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深圳IC设计有望赶超国际水平
在国家、深圳市力推新兴产业发展的政策扶持下，深圳IC(集成电路，俗称芯片)设计产业已成为发展势头最强劲的一个细分新兴产业领域，并且有望赶超国际水平。销售破百亿最近的统计数据显示，2010年深圳高新技术产业继续
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USB 3.0硬碟世代交替商机现 晶片订单大风吹
连于慧／台北 USB 3.0随身碟商机受到NAND Flash缺货影响恐递延，但USB 2.0换USB 3.0硬碟的商机却如火如荼展开，更牵引台系USB 3.0晶片业者订单大风吹，其中希捷(Seagate)、威腾(WD)、三星电子(Samsung Electronics)订
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后段材料5月后紧俏供应链危机未除
赵凯期／台北 日本311强震发生至今，虽已有一段时间，但对于台湾半导体供应链的影响，却有如一池混水，越搅越模糊。第一时间所判断的矽晶圆及BT树脂缺货潮，在大家手上多有1~2个月的库存后，短期虽看不出来影响层面，
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4大专业封测厂抢建铜打线产能 2011年IDM封测委外快马加鞭
柴焕欣／DIGITIMES 全球封测产业在历经网路泡沫化冲击，产值于2001年见到248.9亿美元低点后，随全球景气复甦脚步，加上包括笔记型电脑、行动电话、液晶显示器等新兴电子产品市场快速扩张带动下，全球封测产业产值呈现
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日厂转单慢又小台积电评估地震影响轻
赵凯期／台北 台积电董事长张忠谋针对日本311强震后所表示的最新看法，是认为日本整合元件大厂(IDM)已有初步转单动作，但由于晶片订单多为高度客制化产品，所以所谓的转单效应，短期是既小又慢。 不过，内部先前担心
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应用材料公司拓展RFPVD技术实现22纳米晶体管触点制造
近日，应用材料公司拓展了其Applied Endura Avenir RF PVD系统的应用组合，实现了镍铂合金（NiPt）的沉积，将晶体管触点的制造扩展至22纳米及更小的技术节点。晶体管触点上的高质量镍铂薄膜对于器件性能非常关键，但
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