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ISSCC:高端处理器龙芯3B处理器受关注
在“ISSCC2011”Session4“EnterpriseProcessors&Components”的分科会上，汇集了有关服务器和超级计算机用高端处理器的技术报告。IBM就“zEnterprise”处理器、英特尔就Westmere-EXXeon处理器和安腾处理器Poulson、
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库存逐渐消化尔必达拟调涨3月DRAM报价
日系存储器大厂尔必达(Elpida)的台湾存托凭证(TDR)即将于25日，以每股新台币21.3元挂牌，预计筹得42.6亿元资金，社长坂本幸雄在24日挂牌前法说会中指出，看好3月DRAM价格可逐渐上涨，尔必达也计划在3月初调涨DRAM报价
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三星计划2011年测试性生产20nm芯片
韩国三星公司于日前对外表示，该公司正计划在今年开始测试性生产基于20nm工艺的芯片产品。三星公司将会在今年下半年开始为客户提供测试生产，而这也将会使得三星公司成为第一家承诺在2011年推出20nm工艺的公司。三星
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电子产品热设计越来越重要:JEITA发布半导体封装热特性指南
加快产品设计，背景在于微细LSI的通用化 日本电子信息技术产业协会（JEITA）制定了与半导体产品热特性相关的指南“JEITA EDR-7336”。该指南明确了封装半导体产品的印刷基板的性能参数、使用的环境温度、半导体产
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三星计划2011年测试性生产20nm芯片
韩国三星公司于日前对外表示，该公司正计划在今年开始测试性生产基于20nm工艺的芯片产品。三星公司将会在今年下半年开始为客户提供测试生产，而这也将会使得三星公司成为第一家承诺在2011年推出20nm工艺的公司。 三
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巴克莱分析师：紧随TSV/EUV技术 450mm大潮2018年将至
不久前台积电公司公布自己转向450mm技术后，巴克莱公司分析师 CJ Muse最近发表了其对450mm技术未来走向的新预测，他认为450mm技术的大潮将在2018年以前来临，不过在此之前各大芯片制造厂商会先完成其它 几项重要的技
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开放陆资投资DRAM、封测业，业者以正面解读
行政院24日核定第二波陆资开放清单，确定开放陆资参股面板、晶圆代工、半导体封装测试和DRAM产业，持股上限为10％，其中封装、DRAM业者均以正面看待，并指出虽然有限制10%持股比例，不过仍可以达成策略性投资的成效。
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ISSCC：平面型体硅技术仍将是22/20nm节点主流
经过一轮唇枪舌剑之后，大牌芯片厂商们终于对逻辑芯片产品22/20nm节点制程的有关问题达成了较为一致的意见。在刚刚举行的2011年国际固态电路会议 (ISSCC2011)上，IBM,台积电，Globalfoundries等厂商均表示将继续在22
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绘图晶片双雄再激战 台积电将受惠
陈玉娟／台北 受到整合型绘图晶片组(IGP)及处理器内建绘图核心趋势影响，全球独立绘图卡市场规模持续萎缩，NVIDIA与超微(AMD)为力守获利表现，并与IGP晶片组拉开差距，纷全力提升绘图晶片效能。绘图卡业者表示，由于
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集成电路产业跨入发展快车道
国务院新近发布了《进一步鼓励软件产业和集成电路产业发展的若干政策》（“新18号文”），其中对集成电路产业着墨颇多，占了近三分之二的篇幅。“可以看出国家确实关心、关注集成电路产业的发展。”上海集成电路行业
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晶圆产能过剩？Intel/台积电态度相反
2月25日英特尔总裁暨执行长欧德宁（PaulOtellini）上周出席科技论坛时指出，他认为晶圆代工事业在未来几年会出现极大的麻烦，最大的问题就是会出现十分严重的产能过剩问题，其中全球晶圆等积极扩充产能，将会导致先进
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AMD 28nm南方群岛芯片2012年第二季度将投产
增加投放40nm代工订单之后，AMD与台积电的下一步合作就是28nmGPU显卡了，不过似乎还非常遥远。据台湾“中国经济通讯社”(CENS)报道，为了确保BrazosAPU融合处理器的市场供应，尤其是三月起正式进入中国内地市场，AMD
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2010年繁荣过后 2011年NOR市场或衰退6%
在经历了繁荣的2010年之后，NOR闪存市场营收可能会在2011年衰退近6%，来到48亿美元规模；市场研究机构iSuppli表示，这意味着该市场将因价格下跌影响，开始进入一段艰困时期。虽然NOR闪存因为应用领域扩增、出货呈现持
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加强3D芯片设计制造能力 宏宝科技被正式并入联电研发部门
联电23日结算前年10月成立的宏宝科技，将宏宝的3D芯片技术团队移植到联电的研发部门。市场预期，未来3DIC可望成为联电在28纳米上的重点产品，拉近与台积电的距离，亦可望对尔必达、力成合作案有加分作用。联电则表示
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欧盟项目刷新硅锗芯片高频纪录
欧盟项目DotFive研发出一款硅锗芯片，号称为硅锗（SiGe）史上运行频率最高的芯片。这款820GHz传送接收芯片对可实现x射线般透视，但波长在毫米范围，对人体无害。
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