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三星掐住弱点锁喉，震惊台积电
这一天终于来了！经历两年布局，三星（Samsung）在攻陷台湾DRAM、面板产业之后，剑锋直指晶圆代工龙头台积电。 18英寸设备厂战 三星强攻，台积电难施力 现场，要回到2011年11月，纽约州立大学阿尔巴尼分校。
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SEMI：晶圆厂设备支出2012仅减4% Q3起反弹
半导体材料与设备协会(SEMI)在最新全球晶圆厂报告《SEMI World Fab Forecast》中指出，今年上半年半导体晶圆厂设备支出将缩减，不过下半年将有大幅度的回升，预估全年全球晶圆厂的设备总支出将达到350亿美元，年减4%
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ST推MEMS麦克风 快速为消费电子装置实现自然语音控制
赖品如／台北 意法半导体(STMicroelectronics；ST)进一步扩大感测器产品组合，推出新款高性能、低功耗的数位MEMS麦克风。意法半导体的MP34DT01顶部收音式(top-port)麦克风采用3x4x1mm超小型封装，让手机、平板电脑等
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赛普拉斯宣布 SuperSpeed USB 3.0 控制器通过 USB-IF 认证
经 USB-IF 认证的赛普拉斯 USB 3.0 解决方案可帮助全球产品开发人员为设计带来超高速 USB 连接功能 2011 年 1 月 12日，北京讯，加州圣何塞讯——USB 控制器领域的市场领先者赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代
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CES：加速扩张行动版图 英特尔携手摩托罗拉
英特尔(Intel)于国际消费性电子展(CES)上宣布，与摩托罗拉(Motorola)展开多年、多装置的策略合作。未来，摩托罗拉将使用英特尔凌动(Atom)处理器，发展基于Android平台的智慧型手机与平板等行动装置，并结合双方的研发
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晶圆厂资本支出 Q3回温
国际半导体设备材料协会（SEMI）昨（11）日指出，韩国将是今年晶圆厂资本支出唯一持续成长地区，三星资本支出预估达103亿美元，年成长38.6%。相较台积电（2330）今年资本支出转缓，透露晶圆代工先进制程战火激烈。国
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中国芯低价平板来袭 单季百万台起跳
正当全球将平板电脑竞局聚焦在苹果(Apple)与亚马逊(Amazon)、笔记型电脑(NB)及手机大厂对战之际，近期有不少平板电脑业者提出警讯指出，包括大陆与印度官方所扶植低价平板电脑恐将在2012年形成新势力，尤其以「中国芯
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Global Foundries与IBM将共同生产32纳米芯片
根据EETimes报导，GlobalFoundries在纽约州的Saratoga地区有1座12吋晶圆厂Fab8，与IBM位在EastFishkill的工厂相距仅100多公里，方便就近合作。GlobalFoundries称，Fab8是美国境内最大、最先进的半导体生产基地，产能
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台积称本月是其营收谷底
晶圆代工龙头台积电前日公布去年12月合并营收312.42亿元，月减12.9%，年减10.4%。在库存调节顺利下，市场预期，今年1月营收因工作天数减少，将是这波谷底，2月后开始反弹，营收逐季回温可期。台积电去年第四季营收1,
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PC凋零 迫使芯片厂整并或多元发展
自1960年代中期以来，记忆芯片一直被视为信息时代的石油，随着制造商不断改善能力并降低生产成本，记忆芯片成为计算机和其他设备的关键。日本大型记忆芯片厂ElpidaMemoryInc(尔必达)(6665-JP)传出向客户寻求5亿美元金
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芯片代工商Globalfoundries拟30亿美元建工厂
腾讯科技讯（中涛）北京时间1月11日消息，据国外媒体报道，在周二于美国拉斯维加斯举行的2012年度国际消费者电子大展(CES)上，全球第三大芯片代工商Globalfoundries首席执行官阿吉特·马诺查(Ajit Manocha)表示，201
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矽品今年专注中高阶封测市场
封测大厂矽品(2325)今年专注中高阶封测市场，积极扩展四方形平面无引脚(QFN)、覆晶封装(Flip Chip)整合铜柱凸块(Copper Pillar)以及矽穿孔(TSV)3D IC三大领域。 矽品董事长林文伯今天早上与联电(2303)荣誉副董事长
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晶圆厂资本支出 Q3回温
国际半导体设备材料协会（SEMI）昨 （11）日指出，韩国将是今年晶圆厂资本支出唯一持续成长地区，三星资本支出预估达103亿美元，年成长38. 6%。相较台积电（2330）今年资本支出转缓，透露晶圆代工先进制程战火激烈。
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意法半导体(ST)推出全球首款双核陀螺仪
1月11日，意法半导体推出全球首款能够同时处理用户动作识别与相机图像稳定两大功能的双核陀螺仪L3G4IS，创新的系统架构让设备厂商只需一个陀螺仪即可执行两个不同功能，从而优化手机、平板电脑等智能消费电子产品的尺
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2012年上海多项目晶圆服务(SMS)计划流片时间表
表示上半年 表示下半年 索 引 ： TSMC 55nm TSMC 65nm SMIC 65nm GF 65nm TSMC 90nm SMIC 90nm TSMC 0.13um SMIC 0.13um GF 0.13um TSMC 0.18um SMIC 0.18um GF 0.18um TSM
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