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台积电20nm将采用193nm液浸式光刻+透明式双重成像作金属线层

台积电日前已经宣布顺利在其开放创新平台建构完成其28nm制程设计生态环境，不过更令我们感兴趣的是他们同时还宣布将在即将于加州召开的设计自动化会议（Design Automation Conference (DAC) ）上，首度对外展示其20

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2011-05-27

台积电金属光刻节点
英特尔考虑为竞争对手生产定制芯片

5月27日消息，英特尔CFO斯特西·史密斯（StacySmith）日前表示，英特尔将考虑为竞争对手生产芯片，但是利用英特尔产能生产非英特尔芯片，任何提议都须经过“深度讨论”。本周四，在伦敦的投资者会议结束后，斯特

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2011-05-27

芯片英特尔 ARM 平板电脑
IMEC成功在200mm硅晶圆衬底上制出高质量GaN基MIS-HEMT器件

欧洲研究机构IMEC与其合作伙伴最近成功在200mm规格硅衬底上制造出了高质量的GaN/AlGaN异质结构层，双方目前正合作研究基于氮化镓材料的HEMT（High electron mobility transistor：高电子迁移率晶体管）异质结构晶体管

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2011-05-27

器件硅晶圆 GAN MT
台湾半导体业产能预估较去年成长4.4%

根据工研院IEK ITIS计划预估，2011全年展望台湾半导体产业为18,465亿新台币，较去年成长约4.4%。在IC设计业部分，由于PC/NB芯片成长力道转弱，预估2011全年仍将衰退3.9%；在IC制造业部分，预估2011年的年成长率达6

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2011-05-27

芯片半导体产业封装
台积建构28纳米设计系统

台积电昨（26）日宣布，已顺利在开放创新平台，建构完成28纳米设计生态环境，同时客户采用台积开放创新平台所规划的28纳米新产品设计定案（tape out）数量已达到89个。台积电也将在美国加州圣地牙哥举行的年度设

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2011-05-27

DAC DDR PD 台积电
台积电完成28纳米设计生态环境将于DAC发表

台积电（2330）今日宣布已顺利在开放创新平台上，建构完成28纳米设计生态环境，同时客户采用台积电开放创新平台所规划的28纳米完成新产品设计（tape out）数量已达到89个。台积电表示，将于美国加州圣地牙哥举行

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2011-05-27

DAC DDR PD 台积电
封测代工喊涨厂商Q3受补

日本311大地震后，包括银胶、环氧树脂、导线架等封装材料价格上涨，加上时间接近第3季传统旺季，封测厂产能利用率上升，部份产线已呈现满载现象，为了反应材料上涨成本及部份产能供不应求等实际市况，包括日月光、矽

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2011-05-27

DRAM 存储器封装环氧树脂
台积电建构完成

晶圆代工龙头台积电（2330）昨（26）日宣布，已顺利在开放创新平台（OIP）上，建构完成28纳米设计生态环境，同时客户采用台积电OIP平台所规划的28纳米新产品设计定案（tape out）数量已经达到89个。台积电将于近

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2011-05-27

生态系统 DAC IP 台积电
台积电28奈米晶片设计生态环境建构完成

台积电(2330)今(26)日宣布，已顺利在开放创新平台(Open Innovation PlatformTM)上，建构完成28奈米设计生态环境，同时客户采用开放创新平台所规划的28奈米新产品设计定案(tape out)数量已经达到89个。此外，台积电亦

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2011-05-26

晶片可制造性设计 REFERENCE 台积电
韩国称较早提出3D晶体管技术专利申请

据韩国电子新闻报导，日前英特尔(Intel)宣布领先全球开发出的3D晶体管制程技术，韩国研究团队早已开发完成。韩国向美国提出技术专利申请时间较英特尔早约10天，若受审核为同样的技术，韩国将可获得庞大的专利权使用

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2011-05-26

晶体管英特尔制程技术 FINFET
总投资14亿元人民币中国首条八英寸IGBT芯片生产线项目正式启动

中国南车大功率IGBT产业化基地25日在株洲奠基，这标志着中国首条8英寸IGBT芯片生产线项目正式启动。IGBT(新型功率半导体器件——绝缘栅双极型晶体管)是功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，广泛应

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2011-05-26

大功率芯片生产线 IGBT MDASH
资本市场支持中山集成电路产业受惠

未来5到10年，中山集成电路产业的发展存在诸多利好因素，包括市场需求大、政策和资本市场支持，“十二五”期间国内集成电路产业将步入发展黄金期。近日，海关总署发布了2011年第30号公告，对外公告了海关支持集成电路

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2011-05-26

微米集成电路产业线宽集成电路生产
应用材料看淡本季财测忧晶片厂延缓投资

半导体设备大厂AppliedMaterials(AMAT-US)(应用材料)看淡本季营收表现，理由是经济疲软及日本震灾效应，已导致客户延缓扩张产能。受利空消息影响，应材24日盘后股价走低。尽管苹果iPhones、iPad等行动设备产品热卖，

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2011-05-26

晶片 EDA DMA GE
Ramtron宣布IBM代工芯片样品进入送样/客户验证阶段

经过长时间的等待之后，铁电体内存（FRAM）厂商Ramtron公司终于宣布其委托IBM代工的首批样品验证用FRAM芯片已经制作测试完成，开始进入样件送样/客户验证阶段。2009年，Ramtron与IBM公司达成代工FRAM芯片的协议，按照

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2011-05-26

IBM 芯片 FRAM RAMTRON
GlobalFoundries公布Fab8最近进展状况

在最近举办的高级半导体制造大会（ASMC）上，GlobalFoundries公司纽约州Fab8工厂的总经理NormArmour称工厂的首台生产设备将于6月1日装机就位。Armour称，Fab8工厂将于明年中开始进行产量提升，到2014年末，工厂的月产

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2011-05-26

芯片厂 ARM GLOBALFOUNDRIES FAB

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