新算力爆炸时代，国产化半导体产业的征程该如何走？

在5G大规模商用普及的背景下，日益爆炸的数据传输和计算要求、存储能力的跃进、安全保障诉求的提升，都逐渐成为走在数字世界前沿的半导体产业普遍突破的方向。在新算力时代，如何在国产化浪潮中夯实自身的技术能力?在各自细分领域的突破方向又在哪里?成为半导体产业化国产征程该考虑的重点。

一、NB-IoT：集成式SOC是大势所趋

在NB-IoT(物联网通信技术的一种)正式被3GPP组织纳入5G标准之后，市场对该领域的关注度愈发高涨起来。实际上在这些年的绵延探索过程中，国内已经出现不少NB-IoT领域的厂商，经历过初期的跑马圈地之后，接下来的路径该怎么走将是一个关键性问题。

当今物联网世界有两大趋势：第一是传统行业现代化、智能化;第二是物理世界数字化、机器海量连接。未来，集成式芯片会是历史大势，不可阻挡。具备集成多项技术能力的SOC可以更好获得市场。

而IP成败在一定程度上决定了芯片设计的成败，用IP搭建芯片，集成，集成，再集成将是行业发展大势。在封测端，高集成、高带宽、低功耗、应用场景定制化也驱使芯片封装设计走向一体化。

作为中国芯片IP和芯片定制的一站式领军企业，芯动科技Innosilicon的发展一直受到半导体行业同仁的关注。有机构直言：芯动是中国少数在细分领域能够引领全球产品创新的一站式IP和芯片定制领军企业。

二、内存接口芯片：站稳并拓宽应用方向

在对国内SoC设计项目的调查中发现，一些高速接口IP核还依赖于国外企业，而且这些IP核的供应商较少，国内企业的选择面较窄，IP核的价格也十分昂贵。

据了解，芯动科技全国产自主可控的高速混合电路IP核在满足国际通用标准的同时，还可根据客户应用场景进行面积、功耗等PPA优化，一步到位交钥匙快速集成，全程为客户产品成功保驾护航，实现芯片差异化竞争优势。这对于国内半导体生态圈来说真的是一个好消息，从设计到量产，都能使用全国产自主可控的IP了。

据东方证券估算，DDR5 需要使用更多内存接口芯片。相比DDR3只采用1颗寄存缓存芯片、DDR4最多采用“1+9” 个内存芯片，DDR5对内存接口的需求进一步提升，最多达到“1+10”个(1RCD+10DB)，此外，内存性能显著提升要求内存接口芯片也显著提升。内存接口芯片有望迎来量价齐升。

从官方消息了解，芯动科技突破“内存墙”瓶颈推出的DDR系列内存产品，始终处于行业前沿，除了早已成功运用于过去主流计算市场的DDR3/4/LPDDR3/4，以其灵活的combo phy出名，还推出更大容量、更高带宽、更低功耗、更高稳定性产品涵盖高性能产品GDDR6(16GT/s，1.35V)、主流产品DDR5(6.4GT/s，1.1V)、低功耗产品LPDDR5(6.4GT/s，0.5.V)等。

三、服务器：国产化新材料助推新技术

随着云计算时代的到来，服务器需求正呈现井喷态势。本质来说，这也是基于新算力时代需求而来的产物。

中科曙光工程师指出，早期使用风冷方式散热，是因为早期超级计算机采用的芯片功率较低，没有超级大规模的运算需求和能力，但随着运算需求提升，逐渐变成类似风扇的方式，把服务器内的热气“吹”出来。

但其弊端在于，可以容纳的服务器内置刀片(类似内存盘)密度不够大，为了适应当前的算力需求、增加刀片密度，因此具备更高功率密度、更高电源转换效率的计算机产品便应运而生。