东芝MOSFET来袭，是你的心中所想么？

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MOSFET因其开关特性和驱动特性在电子设计领域引领风骚已有数十年之久。在实际应用场景中，MOSFET会根据不同的耐受等级来分类设计其电气属性，实现了物尽其用。一些电机驱动电路对控制信号的精度要求比较高，并要求经过MOSFET的损耗必须小，但一般的MOSFET都存在一定大小的导通电阻，给选型、设计带来极大的困扰。

作为一家在功率MOSFET耕耘多年的企业，东芝半导体通过不断地创新迭代，推出了40V N沟道功率MOSFET产品——TK1R5R04PB。

TK1R5R04PB的D2PAK 实物效果图

一

TK1R5R04PB的特征属性分析

TK1R5R04PB是东芝推出的U-MOSIX-H系列低压型40V N通道功率MOSFET产品，采用D2PAK 封装，结构简单。TK1R5R04PB在研发设计生产时，延续功率MOSFET电气特性的同时还降低了内部的导通电阻，使得产品本身属性有了一个质的飞跃。

TK1R5R04PB具有以下特点：

低漏源导通电阻：栅源极电压VGS＝10V时，RDS(ON)＝1.25mΩ（典型值）；
低漏极电流：漏源极电压VDS＝40V时，IDSS＝10µA（最大值）；
优化模式：栅极阈值电压Vth＝2.0至3.0V（VDS＝10V，ID＝0.5mA）。
通过了AEC-Q101认证。

TK1R5R04PB的内部结构图

二

TK1R5R04PB的功能特性分析

U-MOSIX-H系列是前一代系列（U-MOSIV）的迭代升级产品，可以实现对应电气属性的迭代替换，从而更好的改善电路整体的功能属性。U-MOSIX-H系列产品具备三大优势，第一该系列产品具备低噪声特性和低电磁干扰特性，这样一来不会对数字信号和其他电磁信号产生干扰；第二低电阻导通特性不会让流经的电信号产生大的损耗，第三更能够满足快速的PWM通道转换。以下是对MOSFET动态特性的实验验证，能够充分的对TK1R5R04PB的实时性传输加以佐证。

MOSFET的开关时间测试电路图

三

TK1R5R04PB的应用场景分析

TK1R5R04PB作为全新封装的U-MOSIX-H系列功率器件，不仅降低导通电阻，也将传输效率推上了浪尖，从而奠定了它在市场上的广泛应用场景：在汽车电子、电机驱动电路、开关电源、DC-DC隔离转换器等应用中都发挥着非常高的实用价值。

东芝在功率半导体器件研发设计中积累了丰富的技术经验，坚持不断地在技术设计上改进和创新，推动低压MOSFET市场发展，在低导通电阻MOSFET电路中具有强力的参考和应用价值。

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