[导读]什么是IGBT所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融...
什么是IGBT所谓IGBT(绝缘栅双极型晶体管),是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。简单讲,是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能,导通时可以看做导线,断开时当做开路。IGBT融合了BJT和MOSFET的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等。而平时我们在实际中使用的IGBT模块是由IGBT与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点。国内IGBT企业崛起IGBT是事关国家经济发展的基础性产品,如此重要的IGBT,长期以来我国却不得不面对依赖进口的尴尬局面,市场主要被英飞凌、三菱、富士电机为首的国际巨头垄断。自2005年开始,大量海外IGBT人才纷纷归国投入国产IGBT芯片和模块产业的发展,尤其是以美国国际整流器公司(IR)回国人员最多。从IR归国主要从事芯片开发的专家有斯达半导汤艺博士、达新半导体陈智勇博士、陆芯科技张杰博士等,以上几家公司都已成为以自产IGBT芯片为主的产品公司。另外IR归国从事模块开发的专家还有银茂微电子庄伟东博士。中科院微电子所较早涉足IGBT行业,主要由无锡中科君芯承担IGBT研发工作,中科君芯的研发团队先后有微电子所、IR、日本电装、成电等技术团队的加入。斯达半导作为国内IGBT行业的领军企业,成立于2005年,于2020年2月4日在上交所主板成功上市。公司自主研发设计的IGBT芯片和快恢复二极管芯片是公司的核心竞争力之一。据IHSMarkit报告数据显示,在2018年度IGBT模块供应商全球市场份额排名中,斯达半导排名第8位,在中国企业中排名第1位,成为世界排名前十中唯一一家中国企业。其中斯达半导自主研发的第二代芯片(国际第六代芯片FS-Trench)已实现量产,成功打破了国外企业常年对IGBT芯片的垄断。成立于2013年的宁波达新,主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售。公司在8寸及6寸晶圆制造平台成功开发600V-3300V IGBT芯片产品,芯片电流等级涵盖10A~200A。采用自主IGBT芯片,达新推出了系列化的满足工业应用、消费电子、新能源的IGBT模块,模块电压涵盖600V~1700V,电流等级涵盖10A ~ 800A。上海陆芯电子科技聚焦于功率半导体(IGBT、SJMOS
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在工业制造、航空航天、新能源等高端领域,特种电源作为核心动力支撑,其性能直接决定了终端设备的运行精度与效率。感应加热电源作为特种电源的重要分支,凭借非接触加热、高效节能、温控精准等优势,广泛应用于金属熔炼、热处理、焊接等...
关键字:
特种电源
IGBT
串联感应
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)作为电力电子领域的核心器件,融合了MOSFET的电压驱动特性与双极型晶体管的低导通压降优势,在变频调速、新能源发电、轨道交通等领域得到广泛应用。其开关过程的动态特性直接决定了系统的效率、可靠...
关键字:
IGBT
MOSFET
在第三代半导体的版图中,行业似乎早已形成了一种“默契共识”——碳化硅(SiC)主导电动汽车高压主驱,氮化镓(GaN)则局限于消费快充与车载OBC等辅助电源领域——牵引逆变器,是SiC的绝对专属领地。然而,VisIC的Ga...
关键字:
氮化镓
D型GaN
VisIC
SiC
主驱逆变器
IGBT
绝缘栅双极晶体管 (IGBT)是电力电子领域广泛应用的半导体器件,融合了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和双极结型晶体管(BJT)的优点,兼具高输入阻抗和低导通电压降的特点。尽管SiC和GaN等宽禁带半导体的...
关键字:
IGBT
半导体
电力电子系统
在电力电子领域,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)与IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为两大核心功率器件,各自在电路中扮演着不可替代的角色。
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MOS管
IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输...
关键字:
IGBT
IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为现代电力电子系统的核心器件,凭借其高输入阻抗、低导通损耗和快速开关能力,广泛应用于新能源汽车、工业变频、可再生能源等领域。其开关过程直接决定了系统的效率、稳定性和可靠性。
关键字:
IGBT
MOSFET
在全球新能源汽车产业向 “长续航、快充电、高效率” 转型的浪潮中,功率半导体作为电能转换的核心部件,直接决定车辆续航里程与能源利用效率。传统硅基 IGBT 器件因导通损耗高、耐高温性差等局限,已难以满足超长距离电动汽车(...
关键字:
功率半导体
IGBT
宽禁带
在新能源汽车向高续航、高功率、高安全性迈进的过程中,车用 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)作为电力电子系统的 “心脏”,其性能直接决定了整车的动力输出、能源效率与运行可靠性。然而,车用 IGBT 长期处于高低温交替、电流冲...
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晶体管
新能源
IGBT
在现代电力电子技术领域,绝缘栅双极型晶体管(IGBT)凭借其卓越的性能,如高耐压、大电流处理能力、低导通电阻以及良好的开关速度,被广泛应用于众多高功率应用场景,像工业逆变器、电机驱动系统、开关电源、不间断电源(UPS)等...
关键字:
晶体管
IGBT
模块
在全球积极推动清洁能源转型的大背景下,太阳能作为一种可持续且丰富的能源,其在能源结构中的占比日益提升。光伏逆变器作为光伏发电系统的核心部件,承担着将光伏电池板产生的直流电转换为交流电并接入电网的关键任务。IGBT(绝缘栅...
关键字:
光伏
逆变器
IGBT
IGBT是一个发热源,其导通与关断都需要损耗,损耗越大,发热量自然就会越多。而IGBT的开通与关断并不是瞬间完成的,有开通时间与关断时间。
关键字:
IGBT
在功率电子系统中,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块的驱动电路设计直接影响开关损耗、电磁干扰(EMI)和器件可靠性。门极电阻(Rg)与钳位二极管(Dclamp)作为驱动电路的核心元件,其参数优化需平衡开关速度、电压尖峰抑...
关键字:
IGBT
门极电阻
钳位二极管
美国宾夕法尼亚州利哈伊山谷——2025年7月17日——iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产,首款产品为150V MOSFET。同时,一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。
关键字:
MOSFET
功率器件
IGBT
中国上海,2025年7月8日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,与中国知名OEM厂商奇瑞汽车股份有限公司(以下简称“奇瑞”)于2025年6月5日在奇瑞总部共同举办的“奇瑞-罗姆供应链技术共创交...
关键字:
汽车电子
IGBT
SiC
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。
关键字:
IGBT
在新能源汽车产业蓬勃发展的浪潮中,功率器件作为核心 “大脑”,其重要性不言而喻。回顾过往,IGBT 主导了新能源汽车的上半场,而如今,SiC 正加速上车,开启新的发展周期。
关键字:
IGBT
功率器件
SiC
【2025年6月18日, 德国慕尼黑讯】随着纯电动汽车(BEV)和插电式混合动力电动汽车(PHEV)销量的快速增长,电动汽车市场的发展在不断加速。预计到 2030 年,电动汽车的生产比例将实现两位数增长,从2024年的2...
关键字:
IGBT
RC-IGBT
芯片
电动汽车
IGBT,绝缘栅双极型晶体管,是由(BJT)双极型三极管和绝缘栅型场效应管(MOS)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有(MOSFET)金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管(GTR)的低导通压降两方面的优...
关键字:
IGBT
FRD
【2025年3月31日, 中国上海讯】三十载精“芯”“质”造,阔步新征程。日前,英飞凌无锡工厂迎来了在华运营三十周年的里程碑。历经三十年的深耕发展,无锡工厂已成为英飞凌全球最大的IGBT生产基地之一,生产的产品广泛应用于...
关键字:
智能工厂
IGBT
电动汽车