当前位置:首页 > 电源 > 电源DC/DC

POLA模块电源
板级电源设计的成熟度和可靠度直接影响着电子产品的稳定性。在设计复杂的板级DC/DC时,为了减小设计风险,提高设计成熟度,加快开发一次成功率,越来越多的方案引入了DC/DC电源模块。目前主流的DC/DC模块电源生产商主要分为DOSA联盟和POLA联盟两大阵营。


POLA模块是非开放标准的设计,所以要深入分析电路有一定难度。但是考虑到POLA模块电源的电路设计基本相同,所以笔者以PTH03030 POLA模块电路为例,对其电路设计进行了深度剖析。

PTH03030模块电源总体架构分析
PTH03030模块电源是一种非隔离的POLA电源,可输出30A电流,模块面积大约9cm2,采用PCB多层板设计,可以满足目前高密度板级电源的应用需求,例如多处理器、高速DSP系统等。


PTH03030模块采用高密度的双面表贴设计,通过一个外接的电阻实现输出电压在0.8~2.5V之内可调,输出效率可以达到93%,工作温度范围为-40~+85℃。PTH03030模块的产品外观如图1所示。

图1 POLA PTH030模块电源外观图

PTH03030模块的系统结构如图2所示。其中,自动电压跟踪模块能够跟踪电源电压的上下电时序,实现输出电压时序控制;也可以实现成多个POLA模块的输出电压互相追踪,或者共同追踪外部电压的上下电时序。这个特点非常适合系统中需要多个电压供电且对于上电先后顺序有严格要求的板级电源设计方案。
ON/OFF使能模块用于控制模块电源的输出,在需要单独关闭部分板级电路功能的场合非常适用。

图2 PTH03030模块的系统模块框图


电压输出微调模块支持输出电压降检测和补偿调节。该模块还具有输出电压正偏或负偏的微调控制功能,可以使用在系统微调测试的场合。
PTH03030模块保护功能比较齐全,可以实现过温保护、过流保护、欠压锁定保护。

PWM BUCK控制模块设计分析

PTH03030H模块的降压PWM控制模块(U3)的局部电路如图3所示。

图3 PTH03030H模块的BUCK降压PWM控制模块电路图

U3控制器内部主要有基准电源电路、软启动电路、300kHz振荡电路、充电泵电路、过流检测电路等。


U3内部有0.8V的基准电源,用来和输出电压的反馈端子PWM_FB进行环路反馈比较。主流POLA模块电源的输出电压最低值是0.8V。


U3的软启动电路可控制上电速率, 软启动延时时间大约为5~10ms,整个上电过程在15ms完成,典型软启动时间为6.5ms。在软启动功能运行时,TRACK管脚必须连接输入电源电压管脚,屏蔽POLA模块的自动电压跟踪功能。此时,模块电源的上电受内部的软启动上电模块控制。


U3内部的充电泵电路主要通过外接C20电容实现低输入电压的提升,满足内部部分电路高电压的要求。在3.3V输入的条件下,需要C20启动内部充电泵;在5V输入条件下,C20泵电容可以不接。


U3内置的过流检测电路可检测上臂MOSFET的导通电阻RDS(ON)上的电流。如果流过上臂MOSFET的电路超过阈值,其管压降超过R12电阻的压降,导致U3内部的过流比较器翻转,关断PWM输出,实现过流保护。


实际测试中,R12的电压设定在160mV左右,对应45A的过流保护阈值。如果需要实现不同的过流保护阈值,只需要更改R12的电阻值即可。

MOSFET功率模块分析
MOSFET功率模块的电路如图4所示。其中,U1为MOSFET驱动IC,采用TI公司的TPS2834,可实现同步整流MOSFET并联对管的驱动。U1的第2管脚接PWM单路输入,经过内部的双路移相后,输出驱动后级同步整流上臂MOSFET Q2、Q3和下臂MOSFET Q1、Q4。


TPS2834的输出驱动特性比较优异,在输入3.3V,输出0.8V,满载30A负载电流时,MOSFET的驱动波形非常理想,无明显的振铃现象。TPS2834良好的MOSFET驱动特性保证了PTH03030可实现高达90%以上的转换效率。

图4 PTH03030模块的MOSFET功率模块电路


DT管脚就是上下臂MOSFET的死区控制管脚,连接到上下臂MOSFET的中点,可防止出现上下臂MOSFET由于关断延时而瞬时直通造成的过流隐患。

升压模块分析
升压电路由U2及其外围电路组成(见图5)。U2是一款SOT-23封装的升压控制器,内置MOSFET,可极大地简化升压模块的外围电路,实现高密度的模块应用。

图5  PTH03030模块的升压电路

 

U2的开关频率最大可以达到1MHz,在输出相同电流的条件下,可以极大减小升压电感的体积和输出滤波电容的容量和个数。升压控制器内置过流保护功能,当升压输出电流达到400mA时,进入过流保护,使升压芯片不受进一步的损坏。


PTH03030模块的升压电压为6.5V,实际测试最高可以达到28V的升压输出,升压后的电源提供整个模块的MOSFET驱动IC U1,电压跟踪比较运放的供电。

自动电压跟踪模块分析
PTH03030模块的一个主要特点就是支持自动电压跟踪控制,由施加参考电压在TRACK脚来实现。施加在TRACK脚上的电压和输出电压通过模块的低电压运算放大器进行实时误差比较放大,误差比较电压经下一级的电压缓冲后,直接控制PWM控制器的FB反馈电压。只要运放的输出响应足够快,就能保证PTH03030的输出电压和TRACK电压精密跟随上下电的电压输出时序。

图6  PTH03030模块的自动电压跟踪功能典型应用电路


自动电压跟踪功能典型应用电路如图6所示,2个模块的TRACK管脚一起连接到Q1的D级。系统上电时,控制电平为低电平,Q1关断,TRACK管脚电压上升,上下两块POLA模块的输出电压跟随TRACK脚电压同步上升。当模块达到各自的输出电压设定值时,电压自动跟踪完成,模块各自达到设定点,完成时序上电控制。当需要系统下电时,控制电平转为高电平,Q1导通,TRACK电压下降,模块输出跟踪下降。

 

输出微调模块分析
PTH03030模块的微调模块外部应用电路如图7所示。模块的微调输出电压正/负偏输出的控制脚分别是9和10脚,正偏微调电阻Ru通过场效应管Q2接地,负偏微调电阻Rd通过场效应管Q1接地。当需要输出进入正偏模式时,只要在Q2的栅极施加高电平,使Q2导通,Ru回路导通,通过内部的微调电压分压,可实现输出电压的正偏移输出,负偏电压微调输出同理。

图7  PTH03030模块的输出电压正偏/负偏微调应用电路

保护功能模块分析
PTH03030模块的全局过温保护电路如图8所示。U4是一款SOT-23封装的温度传感器IC,通过和外围电路配合可以实现模块的过温保护功能,防止模块电路出现异常过温烧毁的隐患。过温保护电路在模块温度超过OTP保护阈值时,会自动将INHIBIT使能管脚电压下拉,输出全局关断电压。


过温保护不采用芯片内置的过温保护电路,主要是考虑到POLA模块上的多种控制芯片的过温保护阈值存在离散性。而通过OTP电路实现全局过温联动,确实是不错的专业设计考虑。


PTH03030H的ON/OFF开关由INHIBIT使能管脚控制,可实现全局模块的关断或者输出。INHIBIT管脚不是TTL接口的电平,在设计阶段注意不能直接和3.3V逻辑器件的I/O直接连接,推荐接法如图9所示。

图8 PTH03030模块的保护电路

图9  PTH03030模块的ON/OFF控制应用电路

本站声明: 本文章由作者或相关机构授权发布,目的在于传递更多信息,并不代表本站赞同其观点,本站亦不保证或承诺内容真实性等。需要转载请联系该专栏作者,如若文章内容侵犯您的权益,请及时联系本站删除。
换一批
延伸阅读

传统上,耗尽型 MOSFET 被归类为线性器件,因为源极和漏极之间的传导通道无法被夹断,因此不适合数字开关。这种误解的种子是由 Dawon Kahng 博士播下的,他在 1959 年发明了第一个耗尽型 MOSFET——只...

关键字: MOSFET 数字开关

为了最大限度地减少开关阶段的功耗,必须尽快对栅极电容器进行充电和放电。市场提供了特殊的电路来最小化这个过渡期。如果驱动器可以提供更高的栅极电流,则功率损耗会降低,因为功率瞬态的峰值会更短。一般来说,栅极驱动器执行以下任务...

关键字: 栅极驱动器 MOSFET

在设计功率转换器时,可以使用仿真模型在多个设计维度之间进行权衡。使用有源器件的简易开关模型可以进行快速仿真,带来更多的工程洞见。然而,与制造商精细的器件模型相比,这种简易的器件模型无法在设计中提供与之相匹敌的可信度。本文...

关键字: 英飞凌 MOSFET

该稳压器内置一个MOSFET和一个续流二极管,MOSFET提供交流发电机励磁电流,当励磁关闭时,续流二极管负责提供转子电流。发电机闭环运行具有负载响应控制 (LRC)和回路LRC控制,当车辆的整体电能需求不断变化时,使输...

关键字: 意法半导体 稳压器 MOSFET 续流二极管

2022年乐瓦微推出新一代-60V P 沟道 SGT MOSFET系列产品,性能达到行业领先水平。P 沟道 MOSFET采用空穴流作为载流子,其迁移率小于N沟道 MOSFET 中的电子流,独特的栅极负压开启机制,使其成为...

关键字: MOSFET 栅极驱动

在上一集中观察到的双极晶体管的缺点是开关时间太长,尤其是在高功率时。这样,它们不能保证良好的饱和度,因此开关损耗是不可接受的。由于采用了“场效应”技术,使用称为 Power-mos 或场效应功率晶体管的开关器件,这个问题...

关键字: 电力电子 MOSFET IGBT

碳化硅 (SiC) 因其更高的开关频率和更高的结温而被称为汽车行业传统 Si IGBT 器件的继承者。此外,在过去五年中,汽车行业已成为基于 SiC 的逆变器的公共试验场。事实证明,通过 SiC 转换器实现 DC 到 A...

关键字: 碳化硅 (SiC) MOSFET

构建可靠的硬件要求我们在设计阶段考虑所有公差。许多参考文献讨论了参数偏差导致的有源元件误差——展示了如何计算运算放大器失调电压、输入电流和类似参数的影响——但很少有人考虑无源元件容差。确实考虑了组件容差的参考文献是从科学...

关键字: 元件公差 电路设计

对于非比例电路,我们必须假设完整的电阻容差,因为容差不会分开。我们可以将输出电压计算为 V OUT =IR,其中 I 是理想的 1mA 电流源,R 是 5% 的电阻器(图 1a)。V OUT =1 mA (1±0.05±...

关键字: 电路设计 非比例电路

我们是否设计了一个电源,后来才发现我们的布局效率低下?按照这些关键提示创建电源布局并避免调试压力。什么是电源设计的布局?你知道吗?一个完美的电路设计,电源布局显得尤为重要。由于不同的设计方案的出发点不同,而有所差异,但是...

关键字: 电源布局 电路设计

电源

8373 篇文章

关注

发布文章

编辑精选

技术子站

关闭