中国电科（山西）电子信息科技创新产业园即将投产，最大碳化硅材料基地即将诞生

今日，据悉，中国电科(山西)电子信息科技创新产业园即将投产，项目达产后，预计形成产值 100 亿元。该项目将有吸引上游企业，形成产业聚集的作用。打造电子装备制造、第三代半导体产业生态链，建成国内最大的碳化硅材料供应基地，积极推动山西经济的转型升级。

该项目投资 50 亿元，建设用地约 1000 亩，计划用 5 年时间，建成“一中心三基地”，即中国电科(山西)碳化硅材料产业基地、中国电科(山西)电子装备智能制造产业基地、中国电科(山西)三代半导体技术创新中心、中国电科(山西)光伏新能源产业基地。

据了解，由于大禁带宽度、高临界击穿场强、高电子迁移率、高热导率，碳化硅材料在众多战略行业具有重要的应用价值和广阔的应用前景。

但是碳化硅单晶的制备一直是全球性难题，而高稳定性的长晶工艺技术是其核心。在中国，碳化硅单晶衬底材料长期依赖进口，其高昂的售价和不稳定的供货情况大大限制了国内相关行业的发展。

据悉，自 2007 年，中国电科 2 所便着手布局碳化硅单晶衬底材料的研制规划，依靠自身在电子专用设备研发领域的技术优势，潜心钻研着碳化硅单晶生长炉的研制。

目前全面掌握了高纯碳化硅粉料制备工艺、4 英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底的制备工艺，形成了从碳化硅粉料制备、晶体生长、晶片加工、外延验证等整套碳化硅材料研制线，在国内最早实现了高纯碳化硅材料、高纯半绝缘晶片量产。