赛普拉斯推出带四个串行外设接口的1Mb nvSRAM

针对需要掉电时进行高可靠性数据保存的大数据吞吐量应用。

非易失性RAM解决方案简化了设计，无需电池并减少了管脚数用于RAID存储、工业自动化和网络应用。

美国加州圣何塞2015年7月21日讯： 赛普拉斯半导体公司今天宣布推出一款具有四个串行外设接口(SPI)的1Mb 非易失性静态随机存取存储器(nvSRAM)。 这一新款nvSRAM的四个SPI接口使得该器件可以在尺寸更小的情况下，超越尺寸更大的并行接口器件的数据吞吐量。该款nvSRAM可为RAID存储设备、工业自动化、计算和网络应用在掉电时，无需电池即可保存大吞吐量的数据。

四SPI接口CY14V101QS 1Mb nvSRAM的最高时钟频率为108MHz，其性能超过了并行接口(x8 IO 宽度, 45-ns 访问时间)器件。该nvSRAM 提供了 24MBps的随机读写访问速度，无限制的写次数，以及20年的数据保存期。因其I/O宽度更小，其16-pin SOIC 封装以及 24-ball BGA封装的芯片管脚数更少，故占板空间也就更少。该器件还包括了一个可选的集成实时时钟(RTC)，未经校准的精度为+/- 50ppm。这款nvSRAM与竞争器件相比具有更低的功耗，工作电流为 5.8mA，睡眠模式电流为10uA。

赛普拉斯nvSRAM符合RoHS标准，可直接替代SRAM、带电池的SRAM、EPROM和EEPROM器件，无需电池即可提供可靠的非易失性数据存储功能。掉电时，数据会自动从SRAM传输到该器件的非易失性单元。供电恢复后，数据可从非易失性单元恢复到SRAM。这两个操作也可均由软件控制。

赛普拉斯非易失性产品业务部总监Sonal Chandrasekhar认为：“关键任务系统需要能在掉电瞬间立即可靠地保存数据的高性能存储器。赛普拉斯的新款1Mb Quad SPI nvSRAM具有在掉电时保护数据安全的能力，其数据吞吐量可媲美并行器件，并且尺寸更小，功耗更低。”

赛普拉斯的nvSRAM系采用其SONOS(氧化硅氮氧化硅)嵌入式非易失性存储器技术制造，可实现更高的容量、更快的访问速度和更好的性能。对RAID系统、PLC、工业数据日志、计算和网络系统、电机驱动、路由器和交换机、航空、国防系统，以及游戏系统等于需要高性能和绝对非易失性数据安全的应用而言，nvSRAM是理想的选择。

赛普拉斯是SONOS工艺技术的领先者，该技术已用于其旗舰产品PSoC®混合信号阵列、可编程时钟和其他产品中。SONOS兼容标准的 CMOS技术，并有诸多优势，例如高耐用性、低功耗和抗辐射。SONOS技术已在赛普拉斯内部的工厂和多家代工厂中合规地采用。与其他磁基非易失性存储技术相比，该技术在规模化和可制造性方面提供了卓越的解决方案。赛普拉斯已经发运了超过20亿片采用与nvSRAM中相同SONOS工艺技术的产品。