半导体深紫外LED技术

随着科学技术的发展，LED技术也在不断发展，为我们的生活带来各种便利，为我们提供各种各样生活信息，造福着我们人类。相关研究成果发表在著名学术期刊的高级功能材料中。最近，中国科学技术大学微电子学院孙海丁和长石兵通过蓝宝石衬底倾斜的切线角度控制量子阱实现了上述的研究突破，实现了三维载体的结合。虽然紫外线只占太阳能量的5%，但它在人类生活中得到了广泛的应用。

本发明广泛应用于空气杀菌、净水、固体表面消毒等领域。传统紫外光源一般是以汞蒸气放电产生紫外光的激发态，具有功耗高，发热量大，使用寿命短，反应慢，安全隐患等缺陷..新的深紫外光源采用发光二极管的发光原理(发光二极管：LED)。与传统的汞灯相比，它具有许多优点，其中最重要的是它不含有有毒的汞。《Minamata公约》的执行预示着在2020年全面禁止使用含汞的紫外线灯因此，开发一种全新的环境友好高效的紫外光源是人们面临的一个重要挑战。

基于宽禁带半导体材料的深紫外发光二极管成为新应用的非双选择。该全固态光源系统具有体积小、效率高、寿命长的优点。只有一个芯片，拇指盖的尺寸可以发出比汞灯更强的紫外线。然而，实现紫外LED的有效发光并不总是容易的。中国科技大学微电子学院孙海鼎教授和龙世兵教授通过调整蓝宝石衬底的斜角，巧妙地增加了UVLED的IQE和器件发光功率..研究发现，当衬底的斜角得到改善时，紫外LED的位错受到明显抑制，器件的发光强度明显提高。荧光光谱强度提高了一个数量级，内部量子效率达到了创纪录的90%。

研究人员通过优化四度斜角衬底上的外延生长调节，找到了一个最优的结构。该结构的载流子寿命超过1.60ns，而常规器件的载流子寿命一般小于1ns。本文的研究将为R的研究提供一条新的途径。该方法不需要昂贵的图形化衬底，不需要复杂的外延生长过程，只有通过对衬底切割角的匹配和优化，以及外延生长参数的匹配和优化，才能将紫外发光二极管的发光特性提高到与蓝色发光二极管相当的高度。

为大功率深紫外发光二极管的大规模应用提供了实验和理论依据。以上就是LED技术的相关知识，相信随着科学技术的发展，未来的LED灯回越来越高效，使用寿命也会由很大的提升，为我们带来更大便利。