三星与Synopsys合作实现首次14纳米FinFET成功流片

加利福尼亚州山景城，2013年1月—
亮点：
? 该里程碑有助于加速对FinFET技术的采用，以实现更快和更高能效的系统级芯片（SoC）
? 该合作为3D器件建模和物理设计规则支持奠定了基础
? 测试芯片验证了FinFET工艺和Synopsys? DesignWare?嵌入式存储器的成功采用
为芯片和电子系统加速创新提供软件、知识产权（IP）及服务的全球性领先供应商新思科技公司（Synopsys, Inc.， 纳斯达克股票市场代码：SNPS）日前宣布：该公司与三星在FinFET技术上的多年合作已经实现了一个关键性的里程碑，即采用三星的14LPE工艺成功实现了首款测试芯片的流片。虽然FinFET工艺较传统的平面工艺在功耗与性能上明显出超，但从二维晶体管到三维晶体管的转变带来了几种新的IP及EDA工具挑战，如建模就是其中的一大挑战。两公司多年的合作为FinFET器件的3D寄生参数提取、电路仿真和物理设计规则支持提供了基础性的建模技术。而Synopsys的综合解决方案，涵盖嵌入式存储器、物理设计、寄生参数提取、时序分析及签核（signoff），全部构建于双方合作成果的基础之上。
“FinFET晶体管可以实现更低的功耗和更高的器件性能，但是它们也同时带来了严峻的挑战，”三星电子器件解决方案部负责系统LSI底层架构设计中心的副总裁Kyu-Myung Choi博士说道。“我们之所以选择Synopsys作为我们的FinFET技术合作伙伴来解决这些挑战，是因为我们在20纳米和其它节点上的成功合作记录。我们将继续汇聚我们的专有技术来提供创新的FinFET解决方案。”
Synopsys的具备FinFET能力的IP
Synopsys与三星通过紧密合作开发了一款测试芯片，它可以用来验证三星先进的14纳米FinFET工艺以及Synopsys的DesignWare嵌入式存储器，后者采用了Synopsys 的STAR（自测试和自修复）存储系统解决方案。该测试芯片实现了仿真模型与FinFET工艺的相互关联，同时包含了测试结构、标准单元、一个锁相环（PLL）以及多个嵌入式SRAM。存储器实体包括专为在非常低的电压下运行而设计的高密度SRAM和可验证工艺性能的高速SRAM。
Synopsys面向FinFET工艺的设计工具
从平面到基于FinFET的3D晶体管的转变是一项重大改变，它需要工具开发商、晶圆代工厂和早期采用者之间紧密的技术协作，以提供一种强大的解决方案。Synopsys的高精确度建模技术为具备FinFET的Galaxy? Implementation Platform实现平台奠定了基础。该平台包括IC Compiler?物理设计、IC Validator物理验证、StarRC?寄生参数提取、SiliconSmart特征描述、用于FastSPICE仿真的CustomSim?和FineSim以及HSPICE?器件建模和电路仿真。
“三星电子一直是我们共同投入和投资的一个核心伙伴，共同致力于为FinFET技术开发完整的解决方案，” Synopsys高级副总裁兼设计实现部总经理Antun Domic说道。“Synopsys与三星的广泛合作使我们能够提供业内顶级的技术和IP，以帮助设计师们实现FinFET晶体管设计的全部潜在优势。”