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[导读]据electronicsweekly网站报道,台积电公司近日宣称已经开发出一套采用Finfet双门立体晶体管技术制作的高性能22/20nm CMOS制程,并已经采用这种制程造出了面积仅0.1平方微米的SRAM单元(内含6个CMOS微晶体管),据称这种

据electronicsweekly网站报道,台积电公司近日宣称已经开发出一套采用Finfet双门立体晶体管技术制作的高性能22/20nm CMOS制程,并已经采用这种制程造出了面积仅0.1平方微米的SRAM单元(内含6个CMOS微晶体管),据称这种制程生产的芯片产品在0.45V工作 电压条件下的信号噪声仅为0.09V。

这种Finfet制程技术采用了双外延(dual-epitaxy)和多重硅应变(multiple stressors,指应用多种应力源增强沟道载流子迁移率的技术)技术,台积电宣称该制程生产出来的产品,不论是采用n型还是p型沟道的型号,其性能均“十分卓越”,其导通电流可分别达1200/1100uA/um,管子关闭时的漏电流则均仅100nA/um。

除了采用FinFET技术之外,这种新制程还采用了较先进的193nm沉浸式光刻技术,漏源级嵌入SiGe层沟道硅应变技术(从SiGe的名称上看,应该是仅针对P型沟道Fin),并采用了HKMG(高K绝缘层+金属栅极)工艺。

今年12月份,台积电将在届时召开的IEDM大会上公布这种制程技术的细节。

有关Finfet,以及立体型晶体管与常规平面型晶体管区别的详细介绍,读者可阅读本站的这篇文章进行了解。

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