LSI Logic 90纳米工艺ASIC突破密度极限

LSI逻辑近日宣布：计划采用本公司G90™（90纳米）工艺生产下一代RapidChip®平台ASIC系列产品。新的硅片将为系统设计师提供90纳米制程最大的集成度及性能优势，并提供RapidChip平台ASIC技术所拥有的快速上市、NRE支出减少、工程成本降低等优势。RapidChip G90系列产品使设计工程师可利用平台ASIC技术的优势，广泛用于包括通讯、存储、工业、医疗、国防和高端消费电子等在内的应用系统。

RapidChip G90系列产品提供不同配置的门数、内存资源、I/O、PLL及高速SerDes（Serializer/Deserializer），以满足客户的各种不同应用。以下列有RapidChip G90系列产品的部分特色：

l    最高达10M ASIC可用门； 
l    高达20Mb的分散MatrixRAM™内存： 
       Seamless内存层次结构、配合灵活RCell内存和高密度MatrixRAM，提供最大的灵活性，满足    客户对内存的需要；
l    高达集成8.5 Gbps SerDes的64个通道； 
l    性能高达500MHz； 
l    支持业界最新的串行接口标准，包括PCI Express (5 Gbps), FibreChannel (8.5 Gbps), Serial RIO (6 Gbps), SATA/SAS (6 Gbps), HyperTransport 2.0 (2 Gbps), Gigabit 以太网, XAUI, 和SPI4； 
l    Landing Zone™处理器支持业界标准ARM, MIPS和ZSP架构内核，运行频率高达400 MHz； 
l    业界领先的并行内存接口，支持高达400 MHz/800 Mbps (DDR2)： 
       支持包括FBDIMM, DDR1, DDR2和QDR2等在内的内存接口标准；
l    提供多种标准封装选择，也可以定制FPBGA封装。
LSI逻辑同样提供从RapidChip 90nm工艺到经验证的LSI逻辑基于单元ASIC工艺的无缝移植，以满足大批量应用。由于LSI逻辑RapidChip平台ASIC和基于单元的ASIC均采用共同的处理技术，IP，高级封装等，因此使RapidChip seamless移植到基于单元的ASIC成为可能。