三星与ST签署战略协议 扩大28纳米FD-SOI技术生态系统

横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）和全球先进半导体解决方案提供商三星电子株式会社今天签署了28纳米全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)技术多资源制造全方位合作协议。

该技术特许协议授权三星利用其现代化的300mm晶圆制造厂为客户提供先进的芯片制造解决方案，确保半导体工业能够在芯片量产中利用意法半导体的FD-SOI技术。28纳米 FD-SOI技术可制造速度更快、散热更好、工序更简单的半导体器件，满足移动和消费电子等下一代电子产品市场对更高性能和更低功耗的系统芯片的日益增长的需求。

该28纳米FD-SOI技术合作协议内容包括意法半导体成熟的制造工艺和设计支持生态系统。意法半导体已完成了28纳米 FD-SOI技术的性能、功耗和简易性的验证测试，继续吸引更多厂商采用这项技术设计芯片，使其保持持续增长的态势。该协议是对意法半导体在法国Crolles的300mm晶圆厂的28纳米 FD-SOI产能的有益补充，为选购28纳米 FD-SOI产品的客户提供了多货源选择机会，同时还为客户带来三星和意法半导体在大规模制造技术方面的丰富经验和全面技术。预计三星28纳米 FD-SOI制造工艺将于2015年初完成量产认证测试。

意法半导体首席运营官Jean-Marc Chery表示：“以三星和意法半导体在国际半导体研发联盟框架内建立的稳定的合作关系为基础，该协议将双方的合作范围扩展至28纳米 FD-SOI技术，同时还扩大了产业生态系统和意法半导体及整个电子工业的产能。近几个季度，我们的嵌入式处理解决方案部与多名客户签订了多项技术合作项目，28纳米 FD-SOI业务呈持续增长态势，该协议的签订证实并进一步扩大了这项技术取得的成功。我们预测 28纳米 FD-SOI技术生态系统将会进一步扩大，覆盖到主要的EDA和IP供应商，28纳米 FD-SOI产品系列因而将会变得更加丰富。”

三星系统LSI业务部执行副总裁Seh-Woong Jeong表示：“我们荣幸地宣布这一28纳米 FD-SOI合作项目。对于想要更高性能和能效而没有必要迁移到20纳米的客户，这是一个理想的解决方案。28纳米制造工艺的生产效率很高，基于成熟的制造设施，具有很长的生命周期。通过在现有技术组合内增加FD-SOI，我们将为客户提供种类齐全的28纳米产品。”

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FD-SOI技术是意法半导体、CEA-Leti、Soitec等企业和研发中心组成的法国格勒诺布尔技术集群历经多年合作的研发成果，特别适用于对能效、性能和成本都有较高要求的厂商。这项制造工艺有效地扩展了摩尔定律[1]适用范围，是传统平面半导体制造工艺的一次演进升级。不同于其它的制造工艺，FD-SOI准许厂商继续使用现有的设计流程、各种电子设计自动化软件和现有制造设备。在保护现有制造设备投资的同时，意法半导体的FD-SOI技术[2]还完美地解决了高性能和低工作温度之间的矛盾。除准许沿用现有设计流程和制造设施的优势外，这项技术还将大幅降低制造工艺的复杂性。

[1] Gordon E. Moore在1965年发表的论文 ( "Cramming more components onto integrated circuits," Electronics Magazine) 中提出芯片上集成的晶体管数量每两年增加大约一倍。

[2]意法半导体开发并商用了超薄埋氧层(UTBB) FD-SOI技术， Thomas Skotnicki、Franck Arnaud和Olivier Faynot在2012 paper论文中详细介绍了这项技术的优点。.