Vishay器件荣获《中国电子商情》的编辑选择奖

【导读】宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 3 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的20V P沟道功率MOSFET Si7655DN和高性能镀金属直流聚丙烯薄膜电容器MKP1848S分别荣获《中国电子商情》(CEM)杂志2012年度编辑选择奖的“中国最具竞争力功率器件产品奖”和“中国最具竞争力电容器产品奖”。

摘要：  宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 3 月21 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，该公司的20V P沟道功率MOSFET Si7655DN和高性能镀金属直流聚丙烯薄膜电容器MKP1848S分别荣获《中国电子商情》(CEM)杂志2012年度编辑选择奖的“中国最具竞争力功率器件产品奖”和“中国最具竞争力电容器产品奖”。

关键字：  编辑选择奖，Vishay，MOSFET

 《中国电子商情》2012年度编辑选择奖的获奖产品是根据在中国市场的销售业绩和技术创新选出的。Vishay的Si7655DN和MKP1848S因其在功率器件和电容器类产品中优异表现而获奖。

Vishay Siliconix Si7655DN是业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8mΩ。这款MOSFET的导通电阻比最接近的20V器件低17%或更多，使设计者能够在其电路中实现更低的压降，在便携式电子产品中更有效地使用能量，让电池的使用寿命更长。Si7655DN也是首款采用新版本PowerPAK®封装的器件，高度比通常的0.75mm还要低28%。

对于DC-link应用，Vishay Roederstein MKP1848S采用薄型设计，具有2µF～100µF的业内最宽CV范围，电压等级为500VDC、700VDC和1000VDC。薄型MKP1848S为设计者提供了很多针对特定应用的选项，具有12mm、15mm、18mm和24mm四种高度。在标称直流电压和+70℃下，MKP1848S的寿命超过10万小时，适用于逆变器、电源、太阳能微逆变器、板上充电器(EV/HEV)、水泵和LED驱动器。

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《中国电子商情》2012年度编辑选择奖的获奖产品公布在杂志的2013年1月刊上。

所有《中国电子商情》2012年度编辑选择奖获奖产品的信息发布在网址http://www.chinaem.com.cn/bencandy.php?fid=34&aid=6867。