Ramtron在2010年硅谷嵌入式系统大会上演示MaxArias无线存储器

Ramtron展示Gen2大存储器无线集成电路

世界顶尖的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation日前宣布，在硅谷嵌入式系统大会（Embedded Systems Conference）上展示MaxArias™无线存储器。该会议暨展览会在美国加利福尼亚州圣何塞的McEnery会议中心（McEnery Convention Center）举办。

在展会期间，Ramtron公司演示了其MaxArias产品系列的创新无线存储器技术。Ramtron的MaxArias™系列无线存储器将行业标准Gen2 RFID无线存取功能与其非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性特性相结合，可让亚洲乃至全世界的工程师使用高性能RF转发器$（transponder）集成电路来发送、捕获和存储更多信息，从而扩大其系统的通信范围和存储器容量。

Ramtron公司的MaxArias无线存储器非常适合高价值资产追踪、药物追踪、制造和维护记录收集以及智能电表抄表等应用。

产品特性和优势

MaxArias无线存储器系列首批产品WM71004、WM71008和WM71016，其容量分别为 256/512/1024 x 16位，这些器件具有几乎无限的读/写次数(写入次数大约为1014次)，以及20年的数据保存期。就工作范围、持续的存储器访问带宽及可靠性而言，MaxArias无线存储器具有完全对称的读/写距离，达到Gen-2标准的最大数据速率。

Ramtron的MaxArias无线存储器具有超越传统基于 EEPROM的RF ID产品的独特优势，包括：

• 更高的射频灵敏度：WM710xx能实现零功耗写入运作，因而在执行写入时不会影响功率或速度。

• 更大的工作范围：使用低功耗F-RAM的MaxArias无线存储器具有10米或更大范围的对称无线读/写功能

• 出色的写入速度：MaxArias无线存储器的速度较EEPROM快六倍，能够实现整个存储区块的写入运作，更快地存储更多的数据，免除基于EEPROM 的器件的“预备时间”(soak time)限制

• 区块写入完整性：Ramtron的SureWrite™ 特性可确保数据完整性，防止在全区块写入期间出现数据损坏

• 磁场和伽玛辐射耐受能力：由于F-RAM器件完全不受磁场的影响，并具有高伽玛辐射耐受能力，MaxArias无线存储器是需暴露于磁场或辐射干扰之应用的理想选择。

WM710xx MaxArias无线存储器能在整个工业温度范围运作(-40°C 至+85°C)，并备有几种配置，包括标准RoHS兼容6脚UDFN封装、凸块硅片、裸片，或经全面测试的符合ISO-18000-6C标准的电子标签。