ARM发布45纳米SOI测试芯片结果，显示出较体效应工艺节能40%的可能性

【导读】ARM®和Soitec联合制造了这款测试芯片，在采用了一个著名的、行业标准的内核的实际芯片实施中显示出功耗节省的可能性。其目的是对用于同一产品的45纳米SOI高性能技术和体效应CMOS 45纳米低功耗技术作出比较。     中国上海，2009年10月12日——ARM公司（伦敦证交所：ARM；纳斯达克：ARMH）近日在于加州福斯特市举行的IEEE SOI大会上发布了一款绝缘硅（silicon-on-insulator，SOI）45纳米测试芯片的测试结果。结果表明，相较于采用传统的体效应工艺（bulk process）进行芯片制造，该测试芯片显示出最高可达40%的功耗节省的可能性。这一测试芯片是基于ARM1176™ 处理器，能够在SOI和体效应微处理器实施之间进行直接的比较。此次发布的结果证实了在为高性能消费设备和移动应用设计低功耗处理器时，SOI是一项取代传统体效应工艺的可行技术。       ARM®和Soitec联合制造了这款测试芯片，在采用了一个著名的、行业标准的内核的实际芯片实施中显示出功耗节省的可能性。其目的是对用于同一产品的45纳米SOI高性能技术和体效应CMOS 45纳米低功耗技术作出比较。       ARM公司物理IP部门副总裁Tom Lantzsch表示：“作为物理IP和处理器技术领域的领导者，ARM一直以来都积极倡导SOI可能会给我们客户的产品带来的益处。通过对体效应和SOI的比较投入资源，我们得以提供有用的数据来验证之前的推测论断，证明SOI的确能够在提供性能的同时实现功耗节省。”       这一芯片测试结果显示，与以同样速度运行的体效应CMOS低功耗技术相比，45纳米高性能SOI技术能够提供高达40%的功耗节省以及7%的电路面积减小。在某些特定的测试应用中，该芯片测试结果还显示，当以比体效应技术高出20%的运行频率工作时，该芯片能够实现30%的整体功耗节省。       IBM公司半导体产品和服务部门副总裁Mark Ireland表示：“这一由ARM和Soitec共同完成的评测标尺清楚地显示了我们的第六代45纳米SOI技术能够带来的性能功耗比方面的益处。该技术目前已可向ASIC和代工厂客户提供。采用一个行业标准的ARM处理器来验证SOI的功耗优势，表明了数字消费电子产品领域采用SOI的可能性。”       SOI Industry Consortium执行董事Horacio Mendez表示：“作为SOI Consortium的成员，这两家公司共同为SOI技术可能为采用电池供电的应用所带来的功耗效率提升提供了一个实证，这对于整个行业而言是一项重要的成就。许多公司在针对其技术做制造决定时，都能够从这一数据获益。”       该实施采用了ARM和IBM的标准SOI库和领先的EDA工具。对于采用基于IBM 45纳米SOI技术的ARM和IBM库的设计，也可获得IP生态系统和制造解决方案的支持。