台湾DRAM厂70nm制程量产竞开始

　　台DRAM厂近期法说会刚告一段落，不过，真正的竞逐才要展开，据了解，业者为进一步降低成本以避免跌价损失，纷投入70nm制程量产的竞逐赛，其中茂德可望于2007年第一季底正式进入70nm制程量产，紧接在后的则是力晶，至于华亚科则预计第四季试产。

　　台DRAM厂于2006年第四季以及全年均交出不错的成绩，目前则积极投入70nm制程竞逐赛，希望能够提前进入量产，以便能因应接下来DRAM平均售价的价格压力。

　　茂德指出，日前提出第一批试产的70nm制程良率已相当不错，最高还达到80％以上，而就近来几批试产的70nm制程良率来看，结果更是让生产人员信心大增，目前产出结果甚至比当初90nm制程更好，因此原预估至第二季才能导入量产，目前则可望提前。

　　茂德表示，目前初步估计应在第一季底时便可开始70nm制程量产，也希望能加紧脚步在第四季时让FabIII厂能够全部转换为70nm制程，让产能可一举拉高至6万片以上，不过，现阶段要达到这样目标，除了制造能力外，还需要考虑到机器设备是否能跟上扩产脚步。

　　至于力晶方面，董事长黄崇仁日前于法说会表示，90nm制程以下的转换都不容易，他更指出，力晶的70nm制程才是真正70nm制程技术，由于采用尔必达（Elpida）70nm制程技术投产12吋晶圆，每片晶圆约可产出1，400颗512Mb的DRAM颗粒，而海力士（Hynix）仅约1，100颗，言下之意，便是力晶70nm制程产出颗粒数远高于茂德。

　　目前力晶已投入70nm制程试产，将在第二季慢慢拉高投片数量，至第三季、第四季左右时，90nm制程技术与70nm制程可以正式转换，而力晶与尔必达所合资成立的瑞晶，也将直接从70nm制程开始，据估计，下半年在转入70nm制程后，成本可减少20％，目标转入70nm制程满1年后，成本可进一步减少40％。

　　至于南科目前自有的2座8吋厂目前以0.11微米制程为主，90nm制程的产品主要来自于华亚科，而在华亚科的部份，2006年10月才将90nm制程完全转换完毕，也因为制程转换不顺，影响出货数量，至于再转到70nm制程部份，则预计在第四季左右会进入试产，不过华亚科也强调，2007年新台币400亿元的资本支出仅包含了FabII的产能拉高至6万片，以及小量70nm制程试产。