中国科学院院长路甬祥视察半导体研究所

【导读】中国科学院院长路甬祥视察半导体研究所   
    8月28日，全国人大常委会副委员长、中国科学院院长路甬祥视察了半导体所，并为在固体物理学领域做出了杰出成就和贡献的世界著名物理学家黄昆院士雕像落成揭幕。

    在半导体所所长李晋闽、党委书记陈树堂、半导体集成技术研究中心主任杨富华等人的陪同下，路甬祥视察了半导体所集成技术工程研究中心、半导体所展室，听取了半导体所李晋闽所长关于研究所工作的汇报，并与王守觉、王启明、陈良惠、梁骏吾等院士以及中青年科技人员座谈，就相关科研及管理问题进行了充分的交流。

    路甬祥指出，半导体所的优势是在光电子与微电子的结合，要进一步提升自主创新能力和集成技术水平，努力加强科技平台建设。半导体所完成了半导体集成技术工程中心的建设，搭建了一个很好的平台，提升了核心竞争力，为三期创新奠定了较好的基础。他指出，半导体集成技术工程中心这样设备先进的平台应面向全院、全国开放，为国家的科技创新做出更大贡献。

    路甬祥指出，半导体所比较重视科技成果社会化转移，并已形成成功转移案例，与社会力量结合实现产业化做的比较好。半导体所是高技术研究所，应该走产业化转移的道路，提供优良的技术和人才资源，帮助企业真正成为产业化的主体，使研究所真正为社会所用，为推动国家发展发挥更大的作用。 

    路甬祥要求半导体所，创新三期要在坚持“面向国家战略需求，面向世界科学前沿，加强原始科学创新，加强关键技术创新与集成”，特别是要和中科院创新三期将着重建设的“1＋10”科技创新基地紧密结合起来，积极参与信息、先进制造、能源等相关基地的建设和创新活动。

    中科院基础局局长张杰，高技术局局长相里斌，北京分院党组常务副书记、副院长项国英，办公厅副主任丁二友陪同视察。