大厂偏重生产移动存储器,DRAM供货吃紧

以需求端来观察，由于PCOEM库存水位普遍不高，采购策略上除了希望原厂提供的颗粒外，亦向记忆体模组厂寻求更多的支援，DRAM市场已经酝酿第三季合约价格上涨的氛围；从现货价格来观察，目前4GB报价约在36美元间，5月合约均价在30.5美元，其价差逼近20%，合约价格往现货价格贴近是必然的趋势，预计第三季合约价格仍有5~10%的上涨空间。

DRAMeXchange指出，从市场面来看，近期的标准型记忆体价格持续攀升的主要因素还是在于供给端的供货减少。DRAM已经转为卖方市场，各厂的生产策略已成为影响价格的重要因素。如三星(Samsung)的策略着重于每个DRAM产品领域的主导地位与扩大市占率，虽然三星GalaxyS5销售不如预期，但由于下半年Note4上市紧接在后，行动式记忆体仍维持稳定的投片比重；再者因为伺服器用记忆体与绘图用记忆体需求不恶，即使三星的标准型记忆体毛利优于其他产品，但受制于产品比重策略，产出也无法再扩大。

SK海力士(Hynix)则是因无锡厂大火后良率无法有效提升，加上25nm制程的大量转进预计在下半年才会发生，短期内供给增加实属不易；加上SK海力士今年致力提升行动式记忆体产出比重，亦让标准型记忆体供应持续吃紧。美光(Micron)也基于自身策略关系，首先在去年新加坡Tech厂产能全数转进NAND制品，广岛厂则专注行动式记忆体生产，华亚科与台湾美光记忆体则持续提升伺服器用记忆体的产出量，标准型记忆体的产出比重仍未现明显成长。

　　DRAMeXchange表示，标准型记忆体是现阶段毛利最高的产品，但各DRAM厂在自身策略考量下并未躁进大幅增加标准型记忆体的产出量。基于未来的需求性，反倒是更加着重于行动式记忆体与伺服器用记忆体的产出调配，标准型记忆体的产出受到控制下，无论在价格与毛利都维持丰硕的报酬。预期今年的DRAM市况仍将呈现高成长的态势，再创另一波产业总产值的高峰。来源:eettaiwan