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[导读]刚开始接触LDO的时候,并不知道是什么意思,终于在偶然的一次研讨会上才开始对它有了比较全面的了解。那个时候是没有机会接触这个LDO的,最多的就是知道7805 7806 7812 781

刚开始接触LDO的时候,并不知道是什么意思,终于在偶然的一次研讨会上才开始对它有了比较全面的了解。那个时候是没有机会接触这个LDO的,最多的就是知道7805 7806 7812 7815 7824这些芯片,当时为了一次性买齐全这些型号,把自己中午吃饭的钱都搭进去了。因为当时钱少,为了多买几个芯片,饿了一次肚子。现在回想起来,觉得当时傻傻的。现在,LDO芯片用的也多了,也就不那么当回事了,不过这个小东西,确实非常关键。理解好了,才会少走一些弯路,比如一个板子有时候仅有一片LDO作为动力,一般设计不当,嘿嘿,就麻烦大了。下面是一些LDO的知识点,与大家共分享!

说到LDO,得先认识线性稳压器:

线性稳压器(Linear Regulator)使用在其线性区域内运行的晶体管或 FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。其产品均采用小型封装,具有出色的性能,并且提供热过载保护、安全限流等增值特性,关断模式还能大幅降低功耗。线性稳压器的工作原理是:采用一个压控电流源以强制在稳压器输出端上产生一个固定电压。控制电路连续监视(检测)输出电压,并调节电流源(根据负载的需求)以把输出电压保持在期望的数值。 线性稳压器的突出优点是具有最低的成本,最低的噪声和最低的静态电流。它的外围器件也很少,通常只有一两个旁路电容。新型线性稳压器可达到以下指标:30μV 输出噪声、60dB PSRR、6μA 静态电流及100mV的压差。线性稳压器能够实现这些特性的主要原因在于内部调整管采用了P沟道场效应管,而不是通常线性稳压器中的PNP晶体管。P沟道的场效应管不需要基极电流驱动,所以大大降低了器件本身的电流;另一方面,在采用PNP管的结构中,为了防止PNP晶体管进入饱和状态降低输出能力,必须保证较大的输入输出压差;而P沟道场效应管的压差大致等于输出电流与其导通电阻的乘积,极小的导通电阻使其压差非常低。当系统中输入电压和输出电压接近时,线性稳压器是最好的选择,可达到很高的效率。所以在将锂离子电池电压转换为3V 电压的应用中大多选用线性稳压器,尽管电池最后放电能量的百分之十没有使用,但是线性稳压器仍然能够在低噪声结构中提供较长的电池寿命。

低压差线性稳压器(LDO)使用在其线性区域内运行的晶体管或FET,从应用的输入电压中减去超额的电压,产生经过调节的输出电压。所谓压降电压,是指稳压器将输出电压维持在其额定值上下100mV之内所需的输入电压与输出电压差额的最小值。正输出电压的LDO(低压降)稳压器通常使用功率晶体管(也称为传递设备)作为PNP。这种晶体管允许饱和,所以稳压器可以有一个非常低的压降电压,通常为200mV左右;与之相比,使用 NPN 复合电源晶体管的传统线性稳压器的压降为2V左右。负输出LDO使用 NPN 作为它的传递设备,其运行模式与正输出 LDO 的 PNP设备类似。更新的发展使用CMOS功率晶体管,它能够提供最低的压降电压。使用CMOS,通过稳压器的唯一电压压降是电源设备负载电流的ON电阻造成的。如果负载较小,这种方式产生的压降只有几十毫伏。

导致 LDO 产生振荡最常见的原因是什么?就是输出电容器!

第一、ESR 过高。 质量欠佳的钽电容器会具有高 ESR,一般尽量采用进口器件。 铝电解电容器在低温条件下将具有高 ESR,一般采用钽电容器件。

第二、ESR 过低。在电路中,最好选用知名品牌的贴片器件。

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