1月6日消息,据台湾媒体报道,三星传出有意调降今年半导体部门资本支出,由6兆韩元大减五成至3兆韩元,而且仅达去年10兆韩元的30%,激励昨(5)日DRAM现货价开新春红盘大涨逾4%,并朝1美元关卡靠拢,创波段新高。 三
12月28日,河南省重点建设项目晶诚科学园晶圆生产线竣工投产仪式举行。据了解,竣工投产的晶圆生产线将具备年产3万余片晶圆的能力,产值约2000万美元。晶诚科学园项目位于郑州出口加工区,总占地面积700亩,截至目前共完成投资20亿元人民币。
惠瑞捷(Verigy)公司宣布,内存供货商华邦电子(WinbondElectronics)已采购多套VerigyV5400闪存测试系统,供台中厂使用,以测试SpiFlash序列式闪存的晶圆。这些内存采用序列外围接口(SPI),广泛使用于PC、移动电话和其
为了提高产品的生产率和利润,近年来晶圆面积不断扩大,大约每10年升级一次。1991年业界开始投产200mm晶圆,2001年起步向300mm晶圆过渡,依次类推,ITRS(国际半导体技术发展路线图)和摩尔定律都认为,2012年是向走向
东芝宣布,2009年1月开始,将在该公司的NAND闪存生产基地四日市工厂(三重县四日市市)进行生产调整。将把该工厂的产量削减30%左右。由于全球经济衰退,以面向内存卡及便携式媒体播放器为主的闪存市场需求低迷,供给
为了提高产品的生产率和利润,近年来晶圆面积不断扩大,大约每10年升级一次。1991年业界开始投产200mm晶圆,2001年起步向300mm晶圆过渡,依次类推,ITRS(国际半导体技术发展路线图)和摩尔定律都认为,2012年是向走向
联华电子(United Microelectronics Corporation,UMC,)日前紧随半导体代工龙头台积电(Taiwan Semiconductor Manufacturing Company,TSMC)宣布,该公司也在积极开展18英寸研发。联电CEO Shih-Wei Sun表示,正是
据国外网站报道,在全球半导体晶圆市场排名第二的SUMCO大幅增加太阳电池用晶圆之扩产投资。位于佐贺县、兴建中的新厂追加投资170亿日圆,在2年后将产能提高为目前之5倍。太阳电池用晶圆市场近来由于硅原料供货商、太
看好未来3D IC市场的发展,应用材料日前宣布将加强投入通孔硅(TSV)技术的研发。由于包括DDR4、DRAM及通信芯片的尺寸要求微缩、但速度要求更快、功能要求更强大,因此3D IC需求飞速提升,也带动了TSV技术未来的发展。
继前段时间AMD获阿联酋Abu Dhabi(阿布扎比)财团84亿美元的融资之后,AMD此前计划在纽约新建的晶圆厂Fab4x,该厂将会有AMD与阿布扎比共同成立的公司The Foundry Company负责运营,尽管AMD从纽约市政府那里获得了12亿
据中时电子报报道,市场不景气、又有人来抢单。联电IC设计大客户赛灵思(Xilinx)传将40纳米订单转投三星电子,引起市场哗然。赛灵思是联电前五大客户之一,如今琵琶别抱,代表三星、特许等IBM通用平台联盟成员在争取
北京时间12月5日消息,据日本媒体报道,由于需求疲软,全球第二大NAND闪存厂商东芝将让旗下两座工厂暂停9天芯片生产,这是其七年来首次暂停生产。消息称,东芝旗下两座工厂将在12月27至1月4日间停产,为自2001年以来