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Rapidus 斥资360亿在北海道建造 2nm 晶圆厂
据业内信息，日本政府寄予振兴半导体厚望的芯片公司 Rapidus 表示，将在北海道千岁市建造一座价值 367 亿美元的 2nm 逻辑晶圆厂。
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Rapidus总裁： 2025年上半年建成2nm原型线
据近日消息，日本半导体企业Rapidus总裁小池淳義表示，预计最早在2025年上半年建成一条2nm原型线，其中2万亿日元(154亿美金)用于技术确立，还需要至少3万亿日元(231亿美金)筹备量产线。
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魏哲家：2nm进度比之前预估的好
据业内信息报道，昨天台积电总裁魏哲家在线上法说会上表示，现阶段的2nm进度比原先预期的要更好，目前的目标是2024年进入风险试产，并与2025年实现量产。
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日本半导体能反扑成功吗？
近两年来，日本对半导体产业复苏的野心越发彰显。一方面，极力拉拢像台积电、三星、英特尔这类业内佼佼者在日本建厂;另一方面，将振兴芯片产业列为国家项目，加大投资和政策扶持力度。据报道，日本政府还将提供资金支持、协助日本企业研发2nm以后的次世代半导体制造技术，发力芯片先进工艺。
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2nm的竞争，目标2027年，日本晶圆代工企业Rapidus与IBM达成合作协议
近日，在日本政府的推动下，东京电子、丰田汽车、索尼、NTT等8家日本企业已携手设立一家新的晶圆代工企业——“Rapidus”，目标在2025-2030年间实现2nm及以下制程逻辑芯片的研发和量产。Rapidus公司已经与 IBM 签订了合作协议，开发基于 IBM 2nm制程技术。Rapidus 表示，将于 2027 年在日本晶圆厂大规模生产芯片。
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2nm被传延期量产 台积电回应
台积电今天上午正式宣布3nm工艺量产，这是当前全球最先进的半导体工艺，明年开始贡献营收。
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明年继续是3nm的高光时代，2024到2025年则是2nm工艺量产
如今的半导体芯片工艺制程越来越先进了，今年三星量产了3nm工艺，台积电的3nm也蓄势待发，明年就会是3nm的高光时代，2024到2025年则是2nm工艺量产。
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致力2nm技术合作，Imec和日本半导体公司签约
Imec和日本政府支持的以2nm工艺为目标的半导体初创公司Rapidus本月早些时候在东京举行的签字仪式上同意了一项技术合作。
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台积电要派600工程师赴日，魏哲家：发展2nm难度不小！
昨天，台积电总裁魏哲家在台北玉山科技论坛上发表了名为《半导体产业的新挑战》的演讲，其中谈及赴日建厂的原因，并首次透露将派500~600名顶级工程师前往日本。
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曝台积电1nm新厂最早或于2026年动工
业内分析称，台积电1奈米厂最快2026年中可开始动土，最快2027年试产、2028年量产。
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日本攻关2nm工艺，确定联手IBM
据报道，为了攻克2nm先进工艺，日本已经制定复兴计划，联手欧洲IMEC之后又确定联手IBM。
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最新报道曝光：全球晶圆代工巨头已获特斯拉全自动驾驶(FSD)芯片代工订单
代工现象在电子产品的比率特别高，比如笔记本中著名代工厂家广达所生产的笔记本电脑占到全球笔记本台数的30%上下(2005)而广达无自有笔记本品牌。IT数据公司iSuppli称全世界销售的笔记本电脑有86%来自中国(2006年8月数据)。
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Intel挤掉三星，登顶全球半导体销冠榜
11月23日消息，据市场研究公司Omdia最新数据，最大的存储芯片制造商三星电子在第三季度营收大幅下滑，失去全球半导体销冠宝座。
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好高骛远！日本芯片公司称超越2nm被批
据业内信息报道，在日本政府支持下，8家日本巨头成立半导体企业Rapidus公司，该公司表示目标是超越2nm制程工艺，但是近日该公司被批好高骛远。
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台积电3nm代工价格水涨船高，下游成本大幅拉升
据报道，台积电3nm晶圆的价格可谓指数级增加，一片高达2万美元，约合14万人民币。
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台积电张忠谋：基本敲定将在美设3纳米晶圆厂
本周一，台积电创始人张忠谋对媒体证实，该公司已经“差不多敲定”，计划在位于美国亚利桑那州的新工厂生产3纳米(nm)芯片。
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15代酷睿内部流片，Intel进入2nm时代
据业内消息， Intel计划明年首发14代酷睿，但是近日有消息称，基于Intel自家的Intel 20A工艺的Arrow Lake已经有内测芯片流片，而该芯片就是15代酷睿。
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日美双方会成立合资公司： 最快2025年推出2nm工艺
在全球先进半导体工艺中，台积电、三星都有2nm工艺计划，美国也能靠Intel实现2nm及以下的工艺，日本作为曾经的半导体第一已经没有了先进工艺生产能力，这也是他们要努力补上的，现在要联手美国实现目标。
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为了使半导体工艺不断缩小，硅必须掺杂越来越高的磷浓度？
目前全球能做到2nm工艺的公司没有几家，主要是台积电、Intel及三星，日本公司在设备及材料上竞争力有优势，但先进工艺是其弱点，现在日本要联合美国研发2nm工艺，不依赖台积电，最快2025年量产。
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曝纳米片晶体管架构的2nm工艺，将于2025年量产
在上周的SEDEX 2022，三星更新了技术路线图，宣称计划2025年投产2nm芯片，2027年投产1.4nm。其中对于2nm，三星研究员Park Byung-jae介绍了BSPDN(back side power delivery network)也就是背面供电。
