Vishay采用行业标准SOT-227封装的1200 V SiC MOSFET功率模块提升功率效率

美国 宾夕法尼亚 MALVERN、中国 上海 — 2026年3月17日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出五款全新的1200 V MOSFET功率模块---VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120，其目标在于提升汽车、能源、工业及通信系统中高频应用的功率效率。Vishay VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用了Vishay最新一代碳化硅(SiC)MOSFET，并且以行业标准的SOT-227形式进行封装。

此次推出的每个功率模块都采用单开关和低边斩波器配置，内置的SiC MOSFET集成了软体二极管，可实现低反向恢复特性。这种设计降低了开关损耗，提高了效率，可适用于太阳能逆变器、电动汽车(EV)车载充电器、SMPS、直流/直流转换器、不间断电源(UPS)、暖通空调(HVAC)系统、大规模电池储能系统以及通信电源设备等领域。

VS-SF50LA120、VS-SF50SA120、VS-SF100SA120、VS-SF150SA120和VS-SF200SA120采用紧凑型的SOT-227封装，使得这些器件能够作为现有设计中竞品的“即插即用”型替代方案。这样，设计人员无需对PCB布局进行更改，即可采用最新的SiC技术，从而节省成本。模压封装还可提供高达2500 V(一分钟)的电气绝缘，通过消除组件与散热器之间对额外绝缘措施的需求，进一步降低了成本。

这些功率模块提供50 A至200 A的连续漏极电流，导通电阻低至12.1 mW。这些器件符合RoHS标准，具备低电容高速开关特性，并可支持+175 °C的最高工作结温。