MOSFET
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MOSFET和JFET在性能特点上有什么区别？MOSFET和晶体管有什么区别
以下内容中，小编将对MOSFET的相关内容进行着重介绍和阐述，希望本文能帮您增进对MOSFET的了解，和小编一起来看看吧。
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分阶段解读MOSFET工作原理！功率MOSFET等效电路分享
本文中，小编将对MOSFET予以介绍，如果你想对MOSFET的详细情况有所认识，或者想要增进对MOSFET的了解程度，不妨请看以下内容哦。
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并联MOSFET有何优势？MOSFET开关损耗是怎么回事
MOSFET将是下述内容的主要介绍对象，通过这篇文章，小编希望大家可以对MOSFET的相关情况以及信息有所认识和了解，详细内容如下。
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ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET
实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围
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英飞凌推出采用Q-DPAK和TOLL封装的全新工业CoolSiC™ MOSFET 650 V G2，实现更高的功率密度
【2025年2月20日, 德国慕尼黑讯】电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩展其CoolSiC™ MOSFET 650 V单管产品组合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封装的两个全新产品系列。
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DC-DC转换器如何调整电流限制阈值
最近的进展已经通过在低侧MOSFET(同步整流器)上取代压降来消除电流检测电阻。这种拓扑节省了感测电阻的成本和空间，并且还提供了效率的适度提高。
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设计同步整流电源：MOSFET选择与驱动电路设计
在电力电子领域，同步整流技术以其高效率、低损耗的特点，成为现代电源转换系统的重要组成部分。特别是在直流-直流（DC-DC）转换器中，同步整流技术通过使用两个MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）来控制电流的方向，从而实现了电能的有效传输。本文将深入探讨在设计同步整流电源时，如何选择合适的MOSFET以及设计其驱动电路，以确保电源的高效率和稳定性。
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首先ALN MOSFET展示承诺和挑战
超宽的带隙(UWBG)材料可以扩大宽带盖(WBG)材料(例如碳化硅)(SIC)和氮化碳(GAN)在电源转换应用中提供的改进范围。在本文中，我们总结了基于UWBG铝(ALN)的MOSFET设备的最初初始演示 。开创性的工作突出了在电力转换应用中使用该材料的一些承诺和挑战。
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e络盟正式开售 Diotec Semiconductor 产品
面向工业、汽车、能源、照明和消费电子市场，产品价格富有竞争力，交货期短
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如何为WLED构建一个RGB PWM LED驱动程序
在这个项目中，我将为WLED构建一个RGB PWM LED驱动程序。您可以使用此项目无线驱动12v RGB LED条。这个项目是WLED兼容，这使得控制容易得多。你可以用它驱动高达100w的RGB LED条。WLED运行在XIAO ESP32C3上，LED驱动器使用IRLFZ44N逻辑级MOSFET。让我们开始建造吧。
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当过压持续较长时间时，使用开关浪涌抑制器
在工业电子设备中，过压保护是确保设备可靠运行的重要环节。本文将探讨如何使用开关浪涌抑制器替代传统的线性浪涌抑制器，以应对长时间的过压情况。与传统线性浪涌抑制器不同，开关浪涌抑制器能够在持续浪涌的情况下保持负载正常运行，而传统线性浪涌抑制器则需要在电源路径中的MOSFET散热超过其处理能力时切断电流。
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栅极驱动器的工作原理是什么？栅极驱动器电压范围是多少
今天，小编将在这篇文章中为大家带来栅极驱动器的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对栅极驱动器具备清晰的认识，主要内容如下。
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非常见问题解答第225期：原来为硅MOSFET设计的DC-DC控制器能否用来驱动GaNFET？
众所周知，GaNFET比较难驱动，如果使用原本用于驱动硅(Si) MOSFET的驱动器，可能需要额外增加保护元件。适当选择正确的驱动电压和一些小型保护电路，可以为四开关降压-升压控制器提供安全、一体化、高频率GaN驱动。
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首款新型TPSMB非对称TVS二极管为汽车SiC MOSFET提供卓越的栅极驱动器保护
专为下一代电动汽车基础设施而设计，为高能效车载充电和逆变器提供结构紧凑的单元件解决方案
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详解PWM死区的意义
电路中出现的死区是指输入电压在一定范围内时输出电压不变的现象。例如，在脉冲宽度调制(PWM)电路中，当输入信号的幅值超过某一阈值时，开关管就会打开，输出信号的幅值就会随之增加。但是，当输入信号幅值降至某一范围内时，输出信号的幅值保持不变，从而产生了死区。
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在电力电子系统中，IGBT或MOSFET的死区介绍
在电力电子系统中，特别是使用IGBT或MOSFET等功率元件时，死区时间非常重要。它确保在一个功率元件关闭后，另一个元件才能开启，从而避免同时导通导致的短路风险。
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哪些工艺参数会影响MOSFET阈值电压？MOSFET雪崩失效解读
今天，小编将在这篇文章中为大家带来MOSFET的有关报道，通过阅读这篇文章，大家可以对MOSFET具备清晰的认识，主要内容如下。
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非常见问题解答第224期：热插拔控制器中的寄生振荡
使用高端N沟道MOSFET开关的热插拔器件在启动和限流期间可能会发生振荡。虽然这不是新问题，但数据手册通常缺少解决方案的详细信息。如果不了解基本原理，只是添加一个小栅极电阻进行简单修复，可能会导致电路布局容易产生振荡。本文旨在解释寄生振荡的理论，并为正确实施解决方案提供指导。
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用MATLAB实现单相半桥和全桥逆变器
交流电(AC)电源几乎用于所有的住宅、商业和工业需求。但是交流电最大的问题是它不能储存起来以备将来使用。交流电被转换成直流电，然后直流电被储存在电池和超级电容器中。现在，每当需要交流时，直流又被转换成交流电来运行基于交流电的电器。所以把直流电转换成交流电的装置就叫做逆变器。
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使用MOSFET的简单h桥电机驱动电路
一开始，驱动电机似乎是一项简单的任务——只要把电机连接到合适的电压轨道上，它就会开始旋转。但这并不是驱动电机的完美方式，特别是当电路中涉及到其他组件时。这里我们将讨论一种最常用和最有效的直流电机驱动方式——H桥电路。
