芯片的未来：Smart宣布商业化制造新型集成硅III-V芯片的成功方法

　　麻省理工在新加坡的研究企业已经开发出一种商业可行的方法来制造新的硅III-V芯片，为智能光电和5G器件铺平道路。

       商业可行的制造工艺将使集成硅III-V芯片2020可用。 新加坡开发的新方法不需要数百亿美元的工业投资——利用旧的200毫米制造技术，在成熟和贬值的制造业基础设施中呼吸新的生命。 集成硅III-V芯片将使智能照明和显示器，也克服了潜在的问题与5G移动技术。 李斯研究员审查200毫米硅III-V晶片。Les的创新和商业准备过程利用现有的200毫米半导体制造基础设施来创建新一代的芯片，将传统的硅与III-V器件相结合，这是以前没有商业上可行的。 

        新加坡麻省理工学院的研究和技术联盟(SMART)，麻省理工学院在新加坡的研究企业，宣布成功开发一种商业可行的方法制造集成硅III-V芯片与高性能的III-V设备插入到他们的设计中。 在当今的大多数设备中，基于硅的CMOS芯片被用于计算，但是它们对于照明和通信效率不高，导致低效率和发热。这就是为什么目前市场上的5G移动设备在使用时变得非常热，并且在短时间后会关闭。 这就是iii-v半导体的价值所在。III-V芯片由元素周期表第3列和第5列的元素制成，如氮化镓(GaN)和砷化铟(InGaAs)。由于其独特的性能，它们非常适合光电子学(LED)和通信(5G等)-大大提高效率。 “通过将III-V集成到硅中，我们可以基于现有的制造能力和低成本的硅生产技术，包括III-V技术独特的光学和电子功能，”新加坡麻省理工学院的研究企业的首席执行官兼导演Eugene Fitzgerald说。新芯片将成为未来产品创新的核心，并为下一代通信设备、可穿戴设备和显示器提供动力。” Smart Lees研究计划的高级科学主管Kenneth Lee补充道：“然而，以商业化的方式将III-V半导体器件与硅集成是半导体工业所面临的最困难的挑战之一，尽管这样的集成电路已经被期望几十年。目前的方法既昂贵又低效，这就延迟了工业所需芯片的可用性。利用我们的新工艺，我们可以利用现有的能力，有效地制造这些新的集成硅III-V芯片，并加速开发和采用将为经济提供动力的新技术。

        由SMART开发的新技术在单独的衬底上构建两层硅和III-V器件，并在微米内将它们垂直地集成在一起，这是人类头发直径的1/第五十。这个过程可以使用现有的200mm制造工具，这将允许新加坡和世界各地的半导体制造商重新使用他们现有的设备。今天，投资于一种新的制造技术的成本在数百亿美元的范围内，因此这种新的集成电路平台是非常有成本效益的，并且将导致更低成本的新型电路和电子系统。 Smart公司致力于为像素化照明/显示器和5G市场创造新的芯片，其潜在市场超过100B美元。智能集成的新硅III-V芯片将中断的其他市场包括可穿戴微型显示器、虚拟现实应用和其他成像技术。 该专利组合已由新的硅公司PTE.有限公司(NSC)独家授权，这是一家总部位于新加坡的Smart公司。NSC是第一个无晶形硅集成电路公司，具有专有材料、工艺、器件和单片集成硅III-V电路(www. NeX-siel.com)的设计。 Smart的新集成硅II-V芯片将于明年上市，预计在2021的产品。 此链接提供高分辨率图像。

　　关于低能量电子系统(LIES)跨学科研究小组(IGG) 

       smart的低能电子系统(lees)irg正在创造新的集成电路技术，从而提高电子系统的功能性、低功耗和高性能。这些未来的集成电路将影响无线通信、电力电子、led照明和显示器的应用。LEES拥有一个垂直集成的研究团队，拥有材料、器件和电路方面的专业知识，包括在半导体行业具有专业经验的多个人。这确保了研究的目标是满足新加坡和全球半导体行业的需求。

         关于新加坡麻省理工学院研究与技术联盟(SMART) 

         新加坡麻省理工学院研究与技术联盟(SMART)是麻省理工学院在新加坡的研究企业，由麻省理工学院(MIT)与新加坡国家研究基金会(NRF)于2007年合作成立。SMART是NRF开发的校园内第一家卓越研究和技术企业(CREATE)实体。smart是麻省理工学院和新加坡之间研究互动的智力和创新中心。新加坡和麻省理工学院感兴趣的前沿研究项目均在新加坡理工学院进行。SMART目前由一个创新中心和六个跨学科研究小组(IRG)组成：抗微生物(AMR)、生物系统和微机械(Biosym)、制造个性化药物的关键分析(CAMP)、农业精密的破坏性和可持续技术(DISTAP)。未来城市交通(FM)和低能电子系统(LEES)。 SMART研究由新加坡国家研究基金会根据CREATE计划资助。