Ramtron：铁电存储技术带来UHF标签的革命

低功率铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron在IIC深圳展会上展示了F-RAM技术的最新进展和应用。其中，MaxArias无线存储器等半导体解决方案最引人注目，这款产品刚刚活动了21IC中国电子网和今日电子杂志共同评出的2010年度产品奖。

MaxArias无线存储器产品将业界标准无线存取功能与其非易失性F-RAM存储器技术的低功耗、高速度和高耐久性特性相结合，以实现创新性移动数据采集功能。MaxArias产品能够实现大批量数据丰富的资产和信息跟踪系统，适用于多个行业和应用，包括电力智能抄表、航空/工业制造、库存控制、维护跟踪、药物和医疗设备跟踪，建筑安全以及产品认证。

图：MaxArias WM710xx系列无线存储器

据Ramtron亚太区副总裁刘胜强先生介绍，MaxArias的优势不仅体非常热门的智能电表应用中，将目前还需要电池的水表、气表升级为无源抄表，无线存储器更有优势。例如某海上采油平台的水表读取应用，就充分发挥了F-RAM无线存储器工作范围超过10米的优势。

F-RAM无线存储器在高速发展的RFID市场有很好的应用前景。刘胜强表示：“被动RFID技术现在主要由高频(13.56MHz)标签主宰，其标签读写范围有限(<1m)，标签容量多数小于200b，主要用于数据读取，采用EEPROM作为存储介质。未来，随着普及率提高，RFID方案不但要满足超高频 (860-960MHz)的标签要求，还要适应更高的存取距离(>10m)和敏感度要求。F-RAM无线存储方案应运而生，它不仅能够满足对读、写能力的需求，还具有更高的存储容量。”

表：F-RAM与EEPROM特性对比

刘胜强总结了相对EEPROM，F-RAM存储器具有的四大优势。第一，F-RAM存储器具有对称性的读/写能量。第二，F-RAM存储器有更高的耐写性及超低功耗。其耐写性是EEPROM的一亿倍，写功耗是EEPROM的三千分之一。以温度记录应用为例，其大容量及低功耗特性可提供更密集的温度曲线取样记录。

图：F-RAM存储器在温度采集记录应用中的优势

第三，F-RAM存储器能够实现快速写入。用F-RAM的RFID比基于EEPROM的RFID写入快数十倍，此外，现有的EEPROM RFID写入需要来自充电泵提供的高电压。

图：F-RAM存储器能够实现快速写入

第四，F-RAM存储器具有抗伽马辐射的特性。伽马辐射不会影响F-RAM数据,但EEPROM的数据却会被擦除，因此F-RAM RFID是伽玛消毒等应用的理想选择。

图：F-RAM存储器具有抗伽马辐射的特性

基于以上诸多优势，刘胜强认为铁电存储技术将带来UHF标签的革命。Ramtron的MaxArias无线存储器产品未来将提供更高容量，并针对特定应用，推出带加密算法或集成温度传感器的新型号。这些产品有望在今年年底推出。