Microchip推出全新BZPACK mSiC®功率模块，专为恶劣环境下高要求应用而设计

Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日推出BZPACK mSiC®功率模块，专为满足严苛的高湿、高电压、高温反偏(HVH3TRB)标准而设计。BZPACK模块可提供卓越可靠性、简化生产流程，并为zui严苛的功率转换应用提供丰富的系统集成方案。该模块支持多种拓扑结构，包括半桥、全桥、三相及 PIM/CIB 配置，为设计人员提供优化性能、成本与系统架构的灵活空间。

BZPACK mSiC功率模块通过测试并满足超过1000小时标准的HV-H3TRB标准，为工业及可再生能源应用部署提供可靠保障。该模块采用相比漏电起痕指数(CTI)达600V的封装外壳，在全温度范围内具备稳定的导通电阻Rds(on)，并可选用氧化铝(Al₂O₃)或氮化铝(AlN)基板，提供出色的绝缘性能、热管理能力与长期耐用性。

Microchip负责大功率解决方案业务部的副总裁Clayton Pillion表示：“BZPACK mSiC功率模块的推出，进一步彰显Microchip致力于为zui严苛功率转换环境提供高可靠性和高性能解决方案的承诺。依托先进的mSiC技术，我们能够为客户提供一条更简便的路径，帮助其在工业和可持续发展市场构建高效且持久的系统。”

为简化生产并降低系统复杂性，BZPACK模块采用紧凑无基板设计，配备压接式无焊端子，并可选配预涂覆导热界面材料(TIM)。这些灵活的配置选项可实现更快的装配速度、更高的一致性制造品质，并通过行业标准封装尺寸实现更便捷的多货源采购。此外，该模块采用引脚兼容设计，使用更加简便。

Microchip的MB与MC系列mSiC MOSFET旨在为工业和汽车应用提供高可靠性解决方案，其中部分产品通过AEC Q101车规认证。这些器件支持通用栅源电压(VGS ≥ 15V)，采用行业标准封装，易于集成。经过验证的HV-H3TRB能力有助于降低因潮湿引发漏电或击穿导致的现场故障风险，保障长期可靠性。此外，MC 系列集成栅极电阻，实现更优的开关控制，保持低开关损耗，并增强多芯片模块配置稳定性。现有产品提供TO-247-4 Notch封装及裸片(华夫盘)形式。

Microchip在碳化硅器件及功率解决方案的研发、设计、制造与支持方面拥有逾20年经验，致力于帮助客户轻松、快速且放心地采用碳化硅技术。公司mSiC系列产品与解决方案旨在降低系统成本、加快产品上市并降低开发风险。Microchip提供丰富且灵活的碳化硅二极管、MOSFET及栅极驱动器产品。