英飞凌最新的 SiC MOSFET 产品组合

PCIM Europe 2022 以一系列有趣的行业突破拉开帷幕，其中包括英飞凌最新的SiC MOSFET 产品组合。这种新型 SiC MOSFET 芯片基于英飞凌最近发布的先进 M1H SiC MOSFET 技术。最近的进步实现了更大的栅极电压窗口，从而提高了芯片导通电阻。

为了提高每个逆变器的额定功率并降低系统成本，开发人员越来越多地将 1500 V 直流链路集成到他们的应用中。另一方面，基于 1500 V DC 的系统存在重大设计问题，例如在高 DC 电压下快速切换，需要多级拓扑。结果，出现了具有大量零件的复杂设计。英飞凌科技股份公司扩大了其 CoolSiC 产品组合，包括高压解决方案，为下一代太阳能、电动汽车充电和储能系统铺平了道路。

CoolSiC产品组合已扩展至包括 2 kV碳化硅(SiC) MOSFET 和 2 kV SiC 二极管，适用于高达 1500 V DC 的应用。

英飞凌的 Peter Friedrichs 参加 PCIM Europe 2022

“我们现在通过引入 2KV 技术来实现的目标是显着提高燃料购买率，”英飞凌 SiC 副总裁 Peter Friedrichs 表示。“这对于引入 Robo 解决方案进行安装尤为重要。能够以非常高的功率生成出色的系统将改变游戏规则，”他补充道。

Friedrichs 还表示，在开发这一新产品组合时，该公司考虑了一些进给率要求，特别是对宇宙射线应力的要求。

新型 SiC MOSFET 结合了低开关损耗和高阻断电压，非常适合 1500 V DC 系统。对于漏源导通电阻，新的 2 kV CoolSiC 技术具有较低的 RDS(on) 值。二极管坚固的机身也适合硬开关。由于宇宙射线，该技术的 FIT 率比 1700 V SiC MOSFET 低十倍。由于栅极电压工作范围宽，这些器件也易于使用。

扩展的 CoolSiC 产品组合提供 2 kV SiC MOSFET，以及 2kV SiC 二极管，适用于高达 1500 V DC 的应用。新型 SiC MOSFET 将低开关损耗和高阻断电压结合在一个器件中，可以最佳地满足 1500 V DC 系统的要求。新的 2 kV CoolSiC 技术提供低漏源导通电阻 (R DS(on)) 值。此外，坚固的体二极管适用于硬开关。与 1700 V SiC MOSFET 相比，该技术可实现足够的过压裕度，并提供比 1700 V SiC MOSFET 低十倍的由宇宙射线引起的 FIT 率。此外，扩展的栅极电压工作范围使器件易于使用。

这种新型 SiC MOSFET 芯片基于英飞凌最近推出的名为 M1H 的 SiC MOSFET 技术。最新进展实现了显着更大的栅极电压窗口，从而提高了给定裸片尺寸的导通电阻。同时，更大的栅极电压窗口提供了对栅极驱动器和布局相关电压峰值的高鲁棒性，即使在高开关频率下也没有任何限制。英飞凌提供一系列功能隔离高达 2.3 kV 的 EiceDRIVER 栅极驱动器，以支持 2 kV SiC MOSFET。

2 kV CoolSiC MOSFET 的样品现在以 EasyPACK 3B 和 62mm 模块形式提供，随后以新的高压分立 TO247-PLUS 封装形式提供。此外，英飞凌还提供具有 2.3 kV 隔离能力的 EiceDRIVER 的设计生态系统。计划于 2022 年第三季度开始生产 Easy 3B (DF4-19MR20W3M1HF_B11)，这是一款具有 4 个升压电路的功率模块，用作 1500 V 光伏串逆变器的 MPPT 级，62mm 模块采用半桥配置(3, 4, 6 mΩ) 将于 2022 年第四季度推出。